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STM32F103RCT6能做到掉电记忆数据吗?

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电小龙 提问时间:2019-9-4 11:27 /
本人在设计项目时忘记加eeprom的芯片了,现在板子上只有stm32f103rct6可以用,但是不知道此芯片有没有这样的功能,记录的数据也就是一个16位的数,请教一下大家,不胜感激
收藏 评论22 发布时间:2019-9-4 11:27

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22个回答
回答时间:2019-9-4 13:33:55
FLASH的寿命一般是十万次,这个楼主可以看硬件手册的介绍。是否有设计备用电池?如果有,可以考虑用备用寄存器。
sfd123-302670 回答时间:2019-9-4 11:51:15
如果更新频率不高的话,可以使用内部flash
哀歌与世无争 回答时间:2019-9-4 11:53:43
STM32可以自编程的,调用flash函数可以擦写数据到芯片flash里,但是不要擦写太频繁了,芯片flash的寿命有限,比eeprom少多了。
电小龙 回答时间:2019-9-4 13:26:28
sfd123-302670 发表于 2019-9-4 11:51
如果更新频率不高的话,可以使用内部flash

你说的不高指的是多少?5000次算高吗?
电小龙 回答时间:2019-9-4 13:26:45
哀歌与世无争 发表于 2019-9-4 11:53
STM32可以自编程的,调用flash函数可以擦写数据到芯片flash里,但是不要擦写太频繁了,芯片flash的寿命有限 ...

大概能擦写多少次啊
哀歌与世无争 回答时间:2019-9-4 13:39:21
STM32F1 最少是1万次,其他的看看数据手册
mylovemcu 回答时间:2019-9-4 13:59:35
如果是为了断电纪录数据  可以使用内部FLASH  
FLASH擦写速度较慢,并且一次擦写需要按页擦写,操作不便,如果不需要反复读取数据,可以使用FLASH储存
FLASH存储是和程序储存区共用的  所以在写入的时候要注意分配地址,写程序的时候也需要分配地址,避免写程序的时候把数据清除
电小龙 回答时间:2019-9-4 14:44:02
mylovemcu 发表于 2019-9-4 13:59
如果是为了断电纪录数据  可以使用内部FLASH  
FLASH擦写速度较慢,并且一次擦写需要按页擦写,操作不便, ...

我是需要每次上电时读取之前存储的值,所以不能像一般定义成一个不变的常量
mylovemcu 回答时间:2019-9-4 14:51:25
电小龙 发表于 2019-9-4 14:44
我是需要每次上电时读取之前存储的值,所以不能像一般定义成一个不变的常量 ...

那可以使用FLASH存储
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