ST意法半导体中文论坛STM32F103RCT6能做到掉电记忆数据吗？

STM32F103RCT6能做到掉电记忆数据吗？

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电小龙提问时间：2019-9-4 11:27 /

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赞收藏评论22 发布时间：2019-9-4 11:27

22个回答

huangxuejia-292 回答时间：2019-9-4 15:11:15

可以使用内部FLASH作为数据存储空间。
内部FLASH和其他外部FLAS一样，都是擦了才能写，有寿命限制。
如果数据简单可以自己设计磨损均衡，数据复制可以上文件系统。
其实你也可以直接写一个地方，10万次，一天一次的话，277年，应该够了的。

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Dandjinh 回答时间：2019-9-4 20:51:15

1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

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电小龙回答时间：2019-9-4 21:13:00

Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

您说的1、 2、是两种不同的方法吗？还是操作的步骤

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电小龙回答时间：2019-9-4 21:18:39

Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM

我是这样应用的，不检测是否断电，我有个按键，没按一次就会有一个数值增加，增加后的值我就直接写进flash里面

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edmundlee 回答时间：2019-9-4 21:37:12

如果说只是16bit的数据，可以划出一个区，比如256个字再，轮着写，只需要多写一个指针就可以了

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Dandjinh 回答时间：2019-9-5 08:53:43

电小龙发表于 2019-9-4 21:13
您说的1、 2、是两种不同的方法吗？还是操作的步骤

两种方法
1. PVD是掉电中断，可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电

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电小龙回答时间：2019-9-5 12:49:56

Dandjinh 发表于 2019-9-5 08:53
两种方法
1. PVD是掉电中断，可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电 ...

明白了，就是在电压低于某个值后会进入PVD中断，在中断里把数据写进flash中

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keijio 回答时间：2019-9-5 16:27:37

就算擦写寿命5万次，每天擦写10次，得用多少年？=5000天，13.69年，何况最少寿命都在10万次以上？？？担心太多了。5年前我就这样用，出了10万片以上了，产品报废了都没有发现有Flash失效的。

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天臆弄人回答时间：2019-9-5 18:20:12

keijio 发表于 2019-9-5 16:27
就算擦写寿命5万次，每天擦写10次，得用多少年？=5000天，13.69年，何况最少寿命都在10万次以上？？？担心 ...

10W次是epprom这是闪存没有10W,指标是1W

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duiboqi 回答时间：2019-9-5 18:41:52

可以使用内部FLASH

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