_initial_sp 是个标签，代表当前指令的地址，由汇编器计算出的，代码里使用space分配了Stack_Size个内存单元后再在之后加上_initial_sp，后面会用DCD __initial_sp 在向量表0初始化栈顶地址，使用堆栈时栈顶地址减1恰好是分配的栈区间
1、使用STM的库的同时要关注库的实现，结合STM32寄存器手册来看。 STM32的库升级了，但是寄存器定义是没有变化的，所以只要具体看其实现就可以了。 一个IO有几个复用功能，可以通过寄存器的bit位来确定，只要看老版本的库怎么设置寄存器的，对应在新版本的库中使用此种设置即可
出现这个问题，引脚的原因： 1、你的程序有问题，可能数组溢出什么的。 2、你的硬件有问题，重新试几次看，不行换块板子。 应该不是软件的问题吧，你可以先重装一次软件试试。我用的是4.3.2
各种元器件datasheet上搜IC数据手册看中文版吧，不仅datasheet是中文的，还可以用中文关键字搜索datasheet内容。芯片功能、封装、参数都能找到。
回复第 2 楼 于2013-12-18 22:00:33发表: 建议参考F4系列的手册， F2系列和F4系列引脚兼容，管教的功能也是兼容的，F4手机比较齐全，比较有参考性。 F103好像没有170多管教的176管教的芯片吧，F2 和F4才有的 首先谢谢您的回复 1、对于焊盘来说我需要这样的建议，这是stm32f103中的说明 2、是关于MSL和回流焊温度曲线的数据，不知道从哪里获得到？ 毕竟间距、锡球焊盘都比较小，批量时很担心虚焊问题
由于是DMA式采集数据,因此不能中途随意再变换通道,要变换通道则需要重新对其加以初始化,否则尽管你变换了采集通道,但它还是按你先前的设置采集.
我使用的是keil4，外部sram我没用过，但内部的sram可以通过sct文件来设置，下面是我的配置，具体工程可以在我的博客下载，blog.sina.com.cn/ifreecoding ,;本程序使用延迟函数DEV_DelayMs模拟程序运行时间, STM32芯片FLASH预取指缓冲 ;会根据地址不同影响指令执行速度, 为保证DEV_DelayMs函数执行时间稳定, 通过 ;本链接文件将DEV_DelayMs函数所编译的unoptimize.o文件固定在指定的地址 LR_IROM1 0x08000000 0x00039000 { ; load region size_region ER_IROM1 0x08000000 0x00039000 { ; load address = execution address *.o (RESET, +First) *(InRoot$$Sections) .ANY (+RO) } RW_IRAM1 0x20000000 0x0000C000 { ; RW data .ANY (+RW +ZI) } } ;如果你使用的STM32芯片不支持256K字节, 加载程序时会出错, 请将下面的代码全 ;部删除即可, 但本程序的执行结果可能会受影响 LR_IROM2 0x08039004 0x00006FFC { ; load region size_region ER_IROM2 0x08039004 0x00006FFC { ; load address = execution address unoptimize.o } }
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