RE:【热门讨论】STM8L和MSP430的低功耗对比
无语~~~,这样就能给出MSP430的功耗比STM8L高,笑死人了,知道iphone上面用的低功耗芯片是什么么?msp430,楼主最好给出数据对比和实际测试,不是说就行的~~~,太肤浅了~~~RE:【经典讨论】STM8L和MSP430的低功耗对比(长期开放)
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低功耗的测量应该不是那样测得,430的各个模块基本上都可以实现独立于cpu运行的 做同样的工作才能比较功耗,我认为STM8L有一点比msp430好,有较大Flash,还有EEPROM。 小白学习一下 单纯对比这个意义不大吧,比如8L很多时候在低功耗下很多外设唤不醒啊,或者波特率不行啊,等等我觉得应该是同样的产品,在做测试。而不是单纯的测最低功耗没有太大意义 华大MCU HC16LC系列采用C80251内核,相同时间频率下处理能力是标准C8051的40倍增强型80251,16位CPU平台
HC16Lxx具有低功耗性能:
0.9μA @ 3V 低功耗模式1:主时钟关闭,外部32.768 kHz 晶振时钟关闭,包括上电复位有效,寄存器,RAM和CPU数据保存状态。
1.2μA @ 3V 低功耗模式2:除了包括低功耗模式1的配置外,RTC工作并且外部32.768 kHz 晶振工作。
1.4μA @ 3V 低功耗模式3:除了包括低功耗模式1的配置外,基于电荷泵型的LCD工作。
1.6μA @ 3V 低功耗模式4:除了包括低功耗模式2的配置外,基于电荷泵型的LCD工作。
1.7μA @ 3V 低功耗模式5:除了包括低功耗模式4的配置外,WDT使用外部32.768 kHz 晶振工作。
2.0μA @ 3V 低功耗模式6:除了包括低功耗模式4的配置外,WDT使用内部专用的RC OSC工作。
40μA/MHz@3V 空闲模式:CPU停止工作,外设模块运行,主时钟运行。
260μA/MHz@3V 工作模式:CPU和外设模块运行,程序在Flash内部运行。
芯片从低功耗模式下的唤醒时间是3μs。
具有高安全性,128位JTAG密码授权保护,使用密码认证机制可以防止外部工具及人员的非法访问。
集成了DES协处理器。
集成了硬件64位真随机数模块(RNG)。
集成了硬件16位循环冗余校验码(CRC)。
每颗芯片具备8字节的唯一设备标识号,启动主程序之前,需进行ID解密,从而保证客户代码的安全。
可通过smart card调用RNG/DES,通过多重认证机制来加强系统的高安全性。
执行主程序前,通过硬件DMA与CRC计算功能检验Flash内部程序正确后,才启动主程序,保证程序的完整性,增加系统可靠性。
将MCU中的部分代码或算法进行DES加密放在Flash中,运行前解密到RAM中,在RAM中运行高安全性程序,以保护密钥以及特殊程序,增加程序的安全性。 华大MCU HC16LC系列采用C80251内核,相同时间频率下处理能力是标准C8051的40倍
增强型80251,16位CPU平台
HC16Lxx具有低功耗性能:
0.9μA @ 3V 低功耗模式1:主时钟关闭,外部32.768 kHz 晶振时钟关闭,包括上电复位有效,寄存器,RAM和CPU数据保存状态。
1.2μA @ 3V 低功耗模式2:除了包括低功耗模式1的配置外,RTC工作并且外部32.768 kHz 晶振工作。
1.4μA @ 3V 低功耗模式3:除了包括低功耗模式1的配置外,基于电荷泵型的LCD工作。
1.6μA @ 3V 低功耗模式4:除了包括低功耗模式2的配置外,基于电荷泵型的LCD工作。
1.7μA @ 3V 低功耗模式5:除了包括低功耗模式4的配置外,WDT使用外部32.768 kHz 晶振工作。
2.0μA @ 3V 低功耗模式6:除了包括低功耗模式4的配置外,WDT使用内部专用的RC OSC工作。
40μA/MHz@3V 空闲模式:CPU停止工作,外设模块运行,主时钟运行。
260μA/MHz@3V 工作模式:CPU和外设模块运行,程序在Flash内部运行。
芯片从低功耗模式下的唤醒时间是3μs。
具有高安全性,128位JTAG密码授权保护,使用密码认证机制可以防止外部工具及人员的非法访问。
集成了DES协处理器。
集成了硬件64位真随机数模块(RNG)。
集成了硬件16位循环冗余校验码(CRC)。
每颗芯片具备8字节的唯一设备标识号,启动主程序之前,需进行ID解密,从而保证客户代码的安全。
可通过smart card调用RNG/DES,通过多重认证机制来加强系统的高安全性。
执行主程序前,通过硬件DMA与CRC计算功能检验Flash内部程序正确后,才启动主程序,保证程序的完整性,增加系统可靠性。
将MCU中的部分代码或算法进行DES加密放在Flash中,运行前解密到RAM中,在RAM中运行高安全性程序,以保护密钥以及特殊程序,增加程序的安全性。