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STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

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STMCU 发布时间:2020-9-23 11:23
STM32f030

1. FLASH擦写时间



1_meitu_1.jpg



2. FLASH擦写次数和数据保存年限


只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。


2_meitu_2.jpg




STM32F103x8, STM32F103xB

1. FLASH擦写时间和电流

3_meitu_3.jpg   



4_meitu_4.jpg


2. FLASH擦写次数和数据保存年限


擦写1万次,保存20年。


5_meitu_5.jpg



STM32F427xx STM32F429xx

1. FLASH擦写电流


6_meitu_6.jpg



2. FLASH擦写时间


编程32bit只要16us,速度提高了近4倍。



7_meitu_7.jpg






3. 使用VPP擦写时间(工厂模式下,64bit)



8_meitu_8.jpg



4. FLASH擦写次数和数据保存年限


擦写次数提高到1万次,基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储,比如1天要变化记录20次,则10000/20=500天,即将面临失效,导致整个产品报废。


9_meitu_9.jpg







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意法半导体微控制器和微处理器拥有广泛的产品线,包含低成本的8位单片机和基于ARM® Cortex®-M0、M0+、M3、M4、M33、M7及A7内核并具备丰富外设选择的32位微控制器及微处理器


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