续流和ZVS条件

分析一下谐振频率的方程式就会发现，在高于峰值增益频率时，谐振网络的输入阻抗是感抗，谐振网络的输入电流（Ip）滞后于谐振网络的输入电压（Vd）。在低于峰值增益频率时，谐振网络的输入阻抗变为容抗，并且Ip领先Vd。在电容区工作时，体二极管在MOSFET开关期间执行反向恢复操作。

当系统在电容区工作时，MOSFET会面临极大的潜在失效风险。事实上，如图6中的绿色圆圈所示，寄生体二极管的反向恢复时间变得非常重要。

图6

根据这一点，在负载由低变高的过程中（图7），驱动电路应强制MOSFET进入ZVS和正关断电流区。如果无法保证，MOSFET的工作区可能很危险。

图7

在低负载稳态条件下，系统工作在频率较低的谐振频率fr2附近，然后ZVS导通，并保证正关断漏极电流。在负载变化（从低到高）后，开关频率应该变成新的谐振频率。如果没有发生这种情况（如图8中绿线所示），则系统状态经过区域3（ZCS区域）和ZVS导通，正关断漏极电流不会出现。因此，当MOSFET关断时，电流也会流过寄生体二极管。

在增益图上分析一下负载从低变高的过程，我们不难发现：

图8

黑虚线代表负载变化期间的理想路径，而绿虚线表示实际路径。在负载从低变高的过程中，可以看到系统经过ZCS区域，因此，寄生体二极管的性能变得非常重要。出于这个原因，新LLC设计的趋势是使用体二极管恢复时间非常短的功率器件。