使用STM8AF52xx，配置了#define RAM_EXECUTION  (1)
在debug模式下（low optimization）使用FLASH_EraseBlock可以正常擦除。
在release模式下（medium 或 high optimization）使用FLASH_EraseBlock卡死。

1. IN_RAM(void FLASH_EraseBlock(uint16_t BlockNum, FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType))
   
2. {
   
3.   uint32_t startaddress = 0;
   
4.   
   
5. #if defined(STM8S105) || defined(STM8S005) || defined(STM8S103) || defined(STM8S003) || \
   
6.     defined(STM8S001) || defined(STM8S903) || defined (STM8AF626x) || defined (STM8AF622x)
   
7.     uint32_t PointerAttr  *pwFlash;
   
8. #elif defined (STM8S208) || defined(STM8S207) || defined(STM8S007) || defined (STM8AF62Ax) || defined (STM8AF52Ax)
   
9.   uint8_t PointerAttr  *pwFlash;
   
10. #endif
    
11.   
    
12.   /* Check parameters */
    
13.   assert_param(IS_MEMORY_TYPE_OK(FLASH_MemType));
    
14.   if(FLASH_MemType == FLASH_MEMTYPE_PROG)
    
15.   {
    
16.     assert_param(IS_FLASH_PROG_BLOCK_NUMBER_OK(BlockNum));
    
17.     startaddress = FLASH_PROG_START_PHYSICAL_ADDRESS;
    
18.   }
    
19.   else
    
20.   {
    
21.     assert_param(IS_FLASH_DATA_BLOCK_NUMBER_OK(BlockNum));
    
22.     startaddress = FLASH_DATA_START_PHYSICAL_ADDRESS;
    
23.   }
    
24.   
    
25.   /* Point to the first block address */
    
26. #if defined (STM8S208) || defined(STM8S207) || defined(STM8S007) || defined (STM8AF62Ax) || defined (STM8AF52Ax)
    
27.   pwFlash = (PointerAttr uint8_t *)(MemoryAddressCast)(startaddress + ((uint32_t)BlockNum * FLASH_BLOCK_SIZE));
    
28. #elif defined(STM8S105) || defined(STM8S005) || defined(STM8S103) || defined(STM8S003) || \
    
29.       defined(STM8S001) || defined (STM8S903) || defined (STM8AF626x) || defined (STM8AF622x)
    
30.     pwFlash = (PointerAttr uint32_t *)(MemoryAddressCast)(startaddress + ((uint32_t)BlockNum * FLASH_BLOCK_SIZE));
    
31. #endif        /* STM8S208, STM8S207 */
    
32.   
    
33.   /* Enable erase block mode */
    
34.   FLASH->CR2 |= FLASH_CR2_ERASE;
    
35.   FLASH->NCR2 &= (uint8_t)(~FLASH_NCR2_NERASE);
    
36.   
    
37. #if defined(STM8S105) || defined(STM8S005) || defined(STM8S103) || defined(STM8S003) ||  \
    
38.     defined(STM8S001) || defined(STM8S903) || defined (STM8AF626x) || defined (STM8AF622x)
    
39.     *pwFlash = (uint32_t)0;
    
40. #elif defined (STM8S208) || defined(STM8S207) || defined(STM8S007) || defined (STM8AF62Ax) || \
    
41.   defined (STM8AF52Ax)
    
42.     *pwFlash = (uint8_t)0;
    
43.   *(pwFlash + 1) = (uint8_t)0;
    
44.   *(pwFlash + 2) = (uint8_t)0;
    
45.   *(pwFlash + 3) = (uint8_t)0;   
    
46. #endif
    
47. }

复制代码

在release模式下，对程序区FLASH_ProgramWord可以写入没有问题

有人碰到过吗？

没人气啊

调试一下，看看你的这段代码是否真正在RAM中运行。此时是否有中断发生的可能。
另外，我记得这个芯片应该直接word对齐编程，不需要先擦除的。

butterflyspring 发表于 2019-11-11 17:58
调试一下，看看你的这段代码是否真正在RAM中运行。此时是否有中断发生的可能。
另外，我记得这个芯片应该直 ...

在擦除前关闭了中断。 这段代码确实在RAM地址段。
如果不需要先擦除，它提供擦除功能干嘛？

YUANI 发表于 2019-11-14 07:32
在擦除前关闭了中断。 这段代码确实在RAM地址段。
如果不需要先擦除，它提供擦除功能干嘛？ ...

手册里有说，稍稍快一点而已 但是一般应用不差这点时间，减少额外的烧脑

YUANI 发表于 2019-11-8 08:39
没人气啊

我发个题外话，
上周末用我的老电脑，WIN7 32系统，跑跑版本的IAR软件，仿真I2C不通。
事实上产品在新电脑，新版本的IAR是可以正常仿真和使用的。