1. void PWM_TIM3_init(void)
   
2. {
   
3.         GPIO_InitTypeDef g;
   
4.         TIM_TimeBaseInitTypeDef t;
   
5.         TIM_OCInitTypeDef o;
   
6.         
   
7.         RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM3,ENABLE);
   
8.         RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOB |
   
9.                 RCC_APB2Periph_AFIO,ENABLE);
   
10.         
    
11.         g.GPIO_Pin = GPIO_Pin_5;
    
12.         g.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
    
13.         g.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
    
14.         GPIO_Init(GPIOB,&g);
    
15.         
    
16.         GPIO_PinRemapConfig(GPIO_PartialRemap_TIM3,ENABLE);
    
17.         
    
18.         t.TIM_Period = 200-1;
    
19.         t.TIM_Prescaler = 7200-1;
    
20.         t.TIM_ClockDivision = TIM_CKD_DIV4;
    
21.         t.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up;
    
22.         TIM_TimeBaseInit(TIM3,&t);
    
23.         
    
24.         o.TIM_OCPolarity = TIM_OCPolarity_High; // 起始为高电平
    
25.         o.TIM_OCMode = TIM_OCMode_PWM1;  // 当计数器小于设定时输出有效高电平
    
26.         o.TIM_OutputState = TIM_OutputState_Enable;
    
27.         TIM_OC2Init(TIM3,&o);
    
28.         
    
29.         TIM_OC2PreloadConfig(TIM3,TIM_OCPreload_Enable);
    
30.         TIM_Cmd(TIM3,ENABLE);
    
31. }

复制代码

以上可以产生周期为20ms的PWM,以下可以产生2ms高电平。通过采样，实际波形正确。

1. u16 val = 20; //如果是10，就产生1ms高电平
   
2. TIM_SetCompare2(TIM3,val);

复制代码

实际需要对 1-2ms 的高电平进行细分，但以下代码只能分 10 格，
有没有方法进一步细分，比如100格或更大。
谢谢提点！！

STM32F103V

将t.TIM_Prescaler缩小10倍，
配合修改t.TIM_Period的值
和t.TIM_ClockDivision的分频比
应该可以达到要求

还有一种思路是考虑使用Systick，理论上来说，Systick的时间片应该是单片机的最小单位了，如果Systick都不行，外设肯定是不行的，除非有专用芯片。当然，还有一种野路子是通过配置PLL强行让MCU超频运行，也有可能提升进一步提升周期和占空比，不过意义不是很大，且对MCU稳定运行也存在潜在影响。

这个应该没难度吧，
把T的计时时钟放小就可以了，如以1uS为时钟，1000uS一个周期，可进行1/1000细分调整呢