如题，我在使用STM32H7系列（H743和H750）的时候，会对片内FLASH进行操作，例如往flash里面写一些标志位和数据，有时候只需要往里面写8bits（1byte），然而HAL提供的flash操作只有256bits program，依据手册（en.DM00314099 page133）来看也只有256bits program支持，读操作倒是可以按8bits 16bits 32bits 64bits来读，所以我有点疑惑这是H7的特性么？能否有自己选择的按字节写入呢？
       多谢帮忙解答！

因为有缓冲区的原因，缓冲区写flash一次写256bit，手册里说可以写少于32字节的数据，但是要在操作一下寄存器，让缓冲区里面剩余的字节由ARM自己填充，其实对于flash还是操作了256bit，而且写数据的地址要32字节对齐，还不如你自己写256bit，虽然只用了1个字节，芯片已经这样设计了，就按这样规则用就是了！！

这是flash特性，你需要的是eeprom

斜阳__ 发表于 2019-2-20 18:57
这是flash特性，你需要的是eeprom

可是我看F746的例程里面都有按照字节写入flash的啊，而H743的必须要256bit才能写入成功，如果我只写8bits或者16bits，比如我只想使地址0x0800 1000 =0x11，而0x0800 0009， 0x0800 1001的值是默认值；F746就有提供这样的功能，好像H743不行

斜阳__ 发表于 2019-2-20 18:57
这是flash特性，你需要的是eeprom

可是我看到F746的FLASH就能实现只改变一个地址的值即例如使*0x0800 1000=0x11，而其他地址的值为默认值的啊

C:\Users\Administrator\Desktop\1.jpg

file:///C:/Users/Administrator/Desktop/1.jpg
这是我在手册中看到的，高亮部分让我疑惑，这是在说我是可以按照最低8bits来写，但是我必须要写满256bits才能写成功吗

》》》》》》》结贴
对于H7系列的片内flash操作，对其写操作必须32bytes对齐，就像我选取的最佳答案描述那样的。
我在这里补充一下操作force-write的方式：
FLASH->CR &= ~FLASH_CR_FW；
HAL_FLASH_Program()；
Flash->CR |= FLASH_CR_FW；
这样的话，假使你只想往一个地址写入一个字节也是可以做到的，但是剩下的31个字节单片机自动填满，之后的写操作就必须在上一次的地址上偏移256bits。

思行一 发表于 2019-2-20 20:26
可是我看到F746的FLASH就能实现只改变一个地址的值即例如使*0x0800 1000=0x11，而其他地址的值为默认值的 ...

我也查了一下手册，h743片内flash确实能像你说的这样按字节编程，方法就是你帖子上说的。我之前用的外挂flash时按页编程。