把STM32F103C8T6 多余的FLASH (((uint32_t)0x0800FC00)) 拿来做存储(在这认为就是EEPROM了)，上电后正常读写EEPROM，不掉点情况下复位 能正常读取之前保存的数据；  但是，如果是重新上电（掉电）的话，初始化读取出来的数据全都是FF 了。
有人遇到过这种情况吗？

FLASH是有读写次数的哟，好像是只有1万次，你看下超过了没有

这个应该使用ST官方推出的EEPROM仿真例程：
EEPROM_Emulation.rar (9.6 KB, 下载次数: 301)

2018-8-15 19:33 上传

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huangyanga 发表于 2018-8-15 19:28
FLASH是有读写次数的哟，好像是只有1万次，你看下超过了没有

新的主芯片，而且试了5、6片都一样。应该是10万次吧。

看看你的初始化和配置，是不是重新上电被清除了

feixiang20 发表于 2018-8-15 22:59
看看你的初始化和配置，是不是重新上电被清除了

可是不断电的情况下是可以正常读取的（也就是说没有被清除）。
#define         EEPROM_START_ADDR    ((uint32_t)0x0800FC00)                        //  63/63
#define                EEPROM_SIZE                                                256                       
/*               
================================================================================
描述 : 读取模拟eeprom中的数据
输入 : start_addr--模拟的EEPROM地址,从0开始
输出 :
================================================================================
*/
void EEPROM_Read(u32 start_addr, u32 size, u8 *out_buff)
{
        static u8 back_up_buff[EEPROM_SIZE]={0};
        u32 i,read_data;
        if(start_addr+size>EEPROM_SIZE)//范围检查
        {
                return;
        }
        for(i=0; i<EEPROM_SIZE; i+=4)
        {
                read_data=*(vu32*)(EEPROM_START_ADDR+i);
                memcpy(&back_up_buff, &read_data, 4);
        }       
       
        memcpy(out_buff, &back_up_buff[start_addr], size);
//        printf_hex(back_up_buff, sizeof(back_up_buff));
}



/*               
================================================================================
描述 : 往模拟EEPROM中写数据
输入 : start_addr--模拟的EEPROM地址,从0开始
输出 :
================================================================================
*/
void EEPROM_Write(u32 start_addr, u8 *buff, u32 size)
{
        u32 i;
        if(start_addr+size>EEPROM_SIZE)//范围检查
        {
                return;
        }       
        FLASH_Unlock();//解锁       
        EEPROM_Read(0, EEPROM_SIZE, g_u8BackUp);//备份       
        memcpy(&g_u8BackUp[start_addr], buff, size);//复制替换
        FLASH_ErasePage(EEPROM_START_ADDR);//擦除
        for(i=0; i<EEPROM_SIZE; i+=4)
        {
                FLASH_ProgramWord(EEPROM_START_ADDR+i, *(vu32*)&g_u8BackUp);
        }       
//        printf_hex(g_u8BackUp, sizeof(g_u8BackUp));
        FLASH_Lock();//锁定
}

最后怎么解决了？我也是C6T6，仿真看我flash的确写成功了，也读出来是对的 ，但是重新上电的话我写的东西就没了 变成了程序默认的数据

罹凝寒冰 发表于 2019-5-29 16:36
最后怎么解决了？我也是C6T6，仿真看我flash的确写成功了，也读出来是对的 ，但是重新上电的话我写的东西就 ...

后来发现是 调试用的串口线在捣鬼，因为usb转TTL的串口线中TX是有一定的驱动能力的，如果设备断电后，但是串口线还插着，那么这时候的flash就会被擦除(固件的flash不会被擦除，仅仅是模拟eeprom那部分的flash)。我只是观察到有这个现象，但是根本原因不详。另外，解决的办法就是串口的TX、RX接上拉电阻就行了。