STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。

其中：

RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。

ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。

ROM又包含：EEPROM和flash。

画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下（如有什么地方不对，恳请大神们进行指正）：

嵌入式设备存储器件思维导图

作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。

而这篇博客就先简单记录一下flash的访问流程和方法（读和写），具体原理以后理解深刻了再做补充。

1、STM32 FLASH操作流程

Flash操作已经属于嵌入式设备中很底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：

1、确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）
2、解锁Flash
3、对Flash进行操作（写入数据）
4、对Flash重新上锁

1.1 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址值的方法

要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）

我此次操作Flash使用的MCU是STM32103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：

在数据手册中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下图所示），而STM32103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x0800 FFFF（计算方法参考另一篇博客：STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法）。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。

2、Flash基本知识点

2.1 Flash容量

Flash根据容量大小可以分为以下三种：

1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）

2.2 ST库对Flash操作的支持

ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：

1、Flash解锁、锁定函数

void FLASH_Unlock(void);//解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁

void FLASH_Lock(void);//锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁

2、Flash写操作函数

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);//32位字写入函数

FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);//16位半字写入函数

FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);//用户选择字节写入函数

注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

3、Flash擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);

FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);

4、获取Flash状态

FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：
                                                 typedef enum
                                                 {
                                                  　　FLASH_BUSY = 1,        //忙
                                                  　　FLASH_ERROR_PG,      //编程错误
                                                  　　FLASH_ERROR_WRP,   //写保护错误
                                                  　　FLASH_COMPLETE,      //操作完成
                                                  　　FLASH_TIMEOUT         //操作超时
                                                  }FLASH_Status;

5、等待操作完成函数

FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。

3、OK，上干货，上代码

根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读写操作代码如下：

3.1 先定义一个Flash操作的起始地址宏定义和Flash状态指示标志位

1. #define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
   
2. 
   
3. volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; //Flash操作状态变量

复制代码

3.2 编写各个读写函数

1. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
2. // Name:        WriteFlashOneWord
   
3. //
   
4. // Function:    向内部Flash写入32位数据
   
5. //
   
6. // Input:       WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
   
7. //              WriteData：   写入的数据
   
8. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
9. void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData)
   
10. {   
    
11.     FLASH_UnlockBank1();
    
12.     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
13. 
    
14.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
15.     FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);  
    
16.     if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)   
    
17.     {  
    
18.         FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
19.         FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函数
    
20.     }
    
21. 
    
22.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
23.     FLASH_LockBank1();   
    
24. }
    
25. 
    
26. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
27. // Name:        WriteFlashData
    
28. //
    
29. // Function:    向内部Flash写入数据
    
30. //
    
31. // Input:       WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
    
32. //              data[]：      写入的数据首地址
    
33. //              num：         写入数据的个数
    
34. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
35. void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t data[], uint32_t num)
    
36. {
    
37.     uint32_t i = 0;
    
38.     uint16_t temp = 0;
    
39. 
    
40.     FLASH_UnlockBank1();    //解锁flash
    
41.     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
42. 
    
43.     FLASHStatus = 1;        //清空状态指示标志位
    
44.     FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整页
    
45.     if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//flash操作完成
    
46.     {
    
47.         FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
48.         for(i=0; i<num; i++)
    
49.         {
    
50.             temp = (uint16_t)data[i];
    
51.             FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);//写入数据
    
52.         }
    
53.     }
    
54. 
    
55.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
56. 
    
57.     FLASH_LockBank1();  //锁定flash
    
58. }

复制代码

1. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
2. // Name:        ReadFlashNBtye
   
3. //
   
4. // Function:    从内部Flash读取N字节数据
   
5. //
   
6. // Input:       ReadAddress：数据地址（偏移地址）
   
7. //              ReadBuf：读取到的数据存放位置指针
   
8. //              ReadNum：读取字节个数
   
9. //
   
10. // Output:      读取的字节数
    
11. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
12. int ReadFlashNBtye(uint32_t ReadAddress, uint8_t *ReadBuf, int32_t ReadNum)
    
13. {   
    
14.     int DataNum = 0;
    
15. 
    
16.     ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress;  
    
17.     while(DataNum < ReadNum)   
    
18.     {        
    
19.         *(ReadBuf + DataNum) = *(__IO uint8_t*) ReadAddress++;  
    
20.         DataNum++;     
    
21.     }
    
22. 
    
23.     return DataNum;   
    
24. }
    
25. 
    
26. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
27. // Name:        ReadFlashData
    
28. //
    
29. // Function:    从内部Flash读取num字节数据
    
30. //
    
31. // Input:       ReadAddress：数据地址（偏移地址）
    
32. //              dest_Data：  读取到的数据存放位置指针
    
33. //              num：        读取字节个数
    
34. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
35. void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num)
    
36. {
    
37.     int i = 0;
    
38.     ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress;
    
39.     while(i < num)
    
40.     {
    
41.         *(dest_Data+i) = *(__IO uint16_t*) ReadAddress;
    
42.         ReadAddress += 2;
    
43. 
    
44.         i++;
    
45.     }
    
46. }

复制代码

转载自执念

我这几天一直在调试，为了想省个EEPORM芯片，但就是没调通。执行FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整页这句
和FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函数
这句时就会死机，一直找不到哪里的原因。求助！

我现在把你的代码搬进去了，也是不行啊，一样会死机，不知道哪里的原因了，快折腾疯了

对于写入或擦擦数据出现死机的情况，原因可能是操作地址上有程序代码。一般要先初始化一页或几页数据（写入、擦擦操作地址）用于防止程序代码占用该预留空间。注意防止编译器将该段数据初始化代码优化掉。