我自己焊了一片“正点原子 STM32F417 探索者”（买的 F407 探索者空板，套上一片 STM32F417ZGT6）这块板子有一片 IS62WV51216BLL-55TLI SRAM。我现在正在写 FSMC 初始化代码，想在代码里尽量压缩 SRAM 时序。请问我该关注 SRAM 手册里面的什么参数，如何从这些参数计算出 FSMC 的时序数值？请授人以渔，因为我还需要计算其它型号 SRAM 芯片的时序，譬如 IS61LV51216-10TLI。

ST官方源代码可以参考：
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2;
  SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 6;
  SDRAM_Timing.SelfRefreshTime      = 4;
  SDRAM_Timing.RowCycleDelay        = 6;
  SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime    = 2;
  SDRAM_Timing.RPDelay              = 2;
  SDRAM_Timing.RCDDelay             = 2;

  hsdram.Init.SDBank             = FMC_SDRAM_BANK1;
  hsdram.Init.ColumnBitsNumber   = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8;
  hsdram.Init.RowBitsNumber      = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;
  hsdram.Init.MemoryDataWidth    = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
  hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
  hsdram.Init.CASLatency         = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
  hsdram.Init.WriteProtection    = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
  hsdram.Init.SDClockPeriod      = SDCLOCK_PERIOD;
  hsdram.Init.ReadBurst          = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
  hsdram.Init.ReadPipeDelay      = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0; FMC_SDRAM.rar (52.32 KB, 下载次数: 8)

2018-1-21 10:00 上传

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wenyangzeng 发表于 2018-1-21 10:01
ST官方源代码可以参考：
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2;
  SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = ...

这个代码用处不大啊：

其一，我用的是 SRAM 不是 SDRAM，时序参数都不对：我问的是 STM32 的 SRAM 时序参数怎么对应到 SRAM 数据手册里的参数。注意这里内存类型没有字母 D。
其二，我没有用 Cube 或 STL（代码太大且有暗病）而是直接操作寄存器，这些初始化结构体对我来说意义很有限。

maxtch 发表于 2018-1-21 10:55
这个代码用处不大啊：

其一，我用的是 SRAM 不是 SDRAM，时序参数都不对：我问的是 STM32 的 SRAM 时序 ...

ST这个代码不知道对你有否帮助：

QSPI_ReadWrite_IT.rar (52.07 KB, 下载次数: 3)

2018-1-21 17:36 上传

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wenyangzeng 发表于 2018-1-21 17:37
ST这个代码不知道对你有否帮助：

这个是 QSPI，不是 FSMC……芯片也不对……Cube 的配置参数是直接对应寄存器的，不解决问题。

我好像把问题条件在标题里面讲的很明确：
* 涉及到的外设是 FSMC 的配置寄存器怎么对 SRAM 数据手册而不是 FMC 对 SDRAM 或 QSPI；
* 用的芯片是 STM32F417 不是 F7xx，那个没有 FMC 或 QSPI 支持。

两次回答怎么都答非所问了？

简单说就是要配置FSMC时序满足器件手册中要求的最低时序要求，比如IS62WV51216BLL-55TLI中，也就是要满足这些时序要求：
读时序

写时序

根据以上时序时间，有FSMC时钟计算出FSMC的对应时间：

如果楼主还不清楚怎么算，可以看看这个代码

1.   /* Timing configuration for 90 MHz of SD clock frequency (180MHz/2) */
   
2.   /* TMRD: 2 Clock cycles */
   
3.   SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2;
   
4.   /* TXSR: min=70ns (6x11.90ns) */
   
5.   SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;
   
6.   /* TRAS: min=42ns (4x11.90ns) max=120k (ns) */
   
7.   SDRAM_Timing.SelfRefreshTime      = 4;
   
8.   /* TRC:  min=63 (6x11.90ns) */        
   
9.   SDRAM_Timing.RowCycleDelay        = 7;
   
10.   /* TWR:  2 Clock cycles */
    
11.   SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime    = 2;
    
12.   /* TRP:  15ns => 2x11.90ns */
    
13.   SDRAM_Timing.RPDelay              = 2;
    
14.   /* TRCD: 15ns => 2x11.90ns */
    
15.   SDRAM_Timing.RCDDelay             = 2;
    
16. 
    
17.   hsdram.Init.SDBank             = FMC_SDRAM_BANK2;
    
18.   hsdram.Init.ColumnBitsNumber   = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8;
    
19.   hsdram.Init.RowBitsNumber      = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;
    
20.   hsdram.Init.MemoryDataWidth    = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
    
21.   hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
    
22.   hsdram.Init.CASLatency         = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
    
23.   hsdram.Init.WriteProtection    = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
    
24.   hsdram.Init.SDClockPeriod      = SDCLOCK_PERIOD;
    
25.   hsdram.Init.ReadBurst          = FMC_SDRAM_RBURST_DISABLE;
    
26.   hsdram.Init.ReadPipeDelay      = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;

复制代码

满足器件手册中的时序min要求就值，就是最大能压缩到的时间，否则，再短，稳定性将无法保障。

nyszx 发表于 2018-1-22 09:31
如果楼主还不清楚怎么算，可以看看这个代码

这些寄存器看上去和 F407/F417 的很不一样啊。您选的芯片参数和 SRAM 数据手册对应的很好，但 F407/F417 的就只有四个时序参数且没有对应关系。

ST官方有个应用笔记 AN2784 ，里面有专门讲述。搜索不难得到。