stm32f777 单片机 lcd 显示与 nand flash 读写冲突 ？
是不是 lcd 与 nand 不能够同时使用啊 ？？？

具体如下：
nand flash 写数据时 影响 LCD 屏显示 ？？？

单片机 ： stm32f777

正常显示的图片如下：




在对 nand flash 写操作时的显示如下：






对 nand flash 读操作时目前还没有发现有问题。

时序设置如下：

1. 
   
2. 对nand flash 时序设置如下：
   
3. 
   
4. void MX_FMC_Init(void)
   
5. {
   
6.   FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef ComSpaceTiming;
   
7.   FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef AttSpaceTiming;
   
8.   FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;
   
9. 
   
10.   hnand1.Instance = FMC_NAND_DEVICE;
    
11. 
    
12.   hnand1.Init.NandBank = FMC_NAND_BANK3;
    
13.   hnand1.Init.Waitfeature = FMC_NAND_PCC_WAIT_FEATURE_DISABLE;    //关闭等待特性
    
14.   
    
15.   hnand1.Init.MemoryDataWidth = FMC_NAND_MEM_BUS_WIDTH_8;     
    
16.   hnand1.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_2048BYTE;   // FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_512BYTE;       //ECC页大小为1024字节
    
17.   
    
18.   #if    0   // 测试使用 使用这个设置 速度很慢很慢
    
19.     hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0xa1;  /* CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 */
    
20.    
    
21.     hnand1.Init.TARSetupTime = 0x29;   /* ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 */
    
22.       
    
23.     ComSpaceTiming.SetupTime     =  0xf5; // 1;  0xf5;;   //建立时间 资料介绍最少10ns  
    
24.     ComSpaceTiming.WaitSetupTime =  0xf3;  // 3; 0xf3;  //等待时间
    
25.     ComSpaceTiming.HoldSetupTime =  0xf2; // 1;  0xf2;   //保持时间
    
26.     ComSpaceTiming.HiZSetupTime  =  0xf5; // 1;  0xf5;   //高阻态时间
    
27.    
    
28.   #else   // 目前使用的是这个设置，在读写 nand flash 时，影响显示， ？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？
    
29.    
    
30.     // 1/216MHz = 4.62962962962963 ns
    
31.    
    
32.     hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0x12;         // 0x13,  0xa1;  CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 这个设置的速度 也是很慢，但基本可以读写 ，但会影响到 LCD 显示问题 ？？？？？？？？？？？？？？
    
33.     hnand1.Init.TARSetupTime = 0x18;           // 0x19   ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
    
34.     ComSpaceTiming.SetupTime     =  7;          // 8   //建立时间 资料介绍最少10ns
    
35.     ComSpaceTiming.WaitSetupTime =  15;     // 16  //等待时间  tADL
    
36.     ComSpaceTiming.HoldSetupTime =  8;      // 8   //保持时间
    
37.     ComSpaceTiming.HiZSetupTime  =  9;      // 8   //高阻态时间
    
38.     AttSpaceTiming.SetupTime     =  ComSpaceTiming.SetupTime;
    
39.     AttSpaceTiming.WaitSetupTime =  ComSpaceTiming.WaitSetupTime;
    
40.     AttSpaceTiming.HoldSetupTime =  ComSpaceTiming.HoldSetupTime;
    
41.     AttSpaceTiming.HiZSetupTime  =  ComSpaceTiming.HiZSetupTime;   
    
42. 
    
43.   #endif
    
44.   
    
45.   hnand1.Init.EccComputation = FMC_NAND_ECC_DISABLE;  // FMC_NAND_ECC_ENABLE;  // FMC_NAND_ECC_DISABLE;              //禁止ECC
    
46.   
    
47.   if (HAL_NAND_Init(&hnand1, &ComSpaceTiming, &AttSpaceTiming) != HAL_OK)
    
48.   {
    
49.     Error_Handler();
    
50.   }
    
51. 
    
52. 
    
53.   // ====================================================================================================================
    
54.   
    
55.   /** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence   sdram 读写目前完全没有问题
    
56.   */
    
57.   hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
    
58.   /* hsdram1.Init */
    
59.   hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
    
60.   hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_10;       //列数量
    
61.   hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;             //行数量
    
62.   hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32;          //数据宽度为32位
    
63.   hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;     //一共4个BANK
    
64.   hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;                  //CAS为3
    
65.   hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;  //失能写保护
    
66.   hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;              //SDRAM时钟为HCLK/2=216M/2=108M=9.3ns
    
67.   hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;                   //使能突发
    
68.   hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;               //读通道延时
    
69.   
    
70.   // MT48LC32M16 -75 IT
    
71.   SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;            // 2CLK  ， 资料要求的时间, 加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期
    
72.   SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 9;         // 75ns  ， 资料要求的时间, 退出自刷新延迟为9个时钟周期
    
73.   SdramTiming.SelfRefreshTime = 5;              // 44ns  ， 资料要求的时间, 自刷新时间为5个时钟周期
    
74.   SdramTiming.RowCycleDelay = 7;                // 66ns  ， 资料要求的时间, 行循环延迟为7个时钟周期
    
75.   SdramTiming.WriteRecoveryTime = 3;            // 1CLK + 7.5ns  ， 资料要求的时间, 恢复延迟为2个时钟周期
    
76.   SdramTiming.RPDelay = 2;                      // 20ns  ， 资料要求的时间，行预充电延迟为2个时钟周期
    
77.   SdramTiming.RCDDelay = 2;                     // 20ns  ， 资料要求的时间, 行到列延迟为2个时钟周期
    
78. 
    
79.   if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK)
    
80.   {
    
81.     Error_Handler();
    
82.   }
    
83. }

复制代码

不会有这种情况。可以先试着检查下fmc配置，加长读取间隔时间

NAND FLASH之所以会有影响可能是因为读写期间，对fmc影响？个人猜测

会不会出现while(1)死循环等待了

这个不是IO共用，导致冲突的问题吗？

都用到F7系列了，没有用过呢

没有用过

应该是属于片选没控制好。
不应该出现这种问题。