基于NUCLEO_STM32F302R8T6 Kit 调不通

关于FLASH 仿真eeprom_emulation 的程序调不通，因此来请教一下

这只程序我已经成功在STM32F103 上面可以调通使用了，一切正常

但在STM32F3 系列的MCU 上面，程序会一直停在

FLASH_ProgramWord(FLASH_SAVE_ADDR+0, 0x12345648);  

应该说只要执行读写的动作，程序就会停止，例如以下两个库

FLASH_ProgramWord(FLASH_SAVE_ADDR+0,Test_String[0]);

Test_Block[0] = ( *(__IO uint32_t*)(FLASH_SAVE_ADDR+0) );

是不是在F3 MCU 上面有什么需要注意的地方我忽略了?

还请高手指导一下

以下为部分代码

/* Unlock the Flash Program Erase controller */

     FLASH_Unlock();

     

      /*Clearn Flag*/

      FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_PGERR);

      FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_WRPERR);

      FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP);

      FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY);

      /*ErasePage page ((uint32_t)0x0807F800)        //起始位*/            

     FLASH_ErasePage(FLASH_SAVE_ADDR);

     

   

      /*Write data to EEPROM */

     FLASH_ProgramWord(FLASH_SAVE_ADDR+0, Test_String[0]);      

     

   

      /* Lockthe Flash Program Erase controller */

     FLASH_Lock();

     

      /* Readdata from EEPROM to verification */

         

     Test_Block[0] = ( *(__IO uint32_t*) (FLASH_SAVE_ADDR+0) );   

           

     

      /*  Output to check */

     for(ia=0; ia<9 ; ia++)

      {            

           USART_SendData(USART3,Test_Block[ia]);

           Delay(1);                 

      }   

     

FLASH_SAVE_ADDR 这个地址会不会错了？
指向了非Flash区域？

你可以参考下，F3 HAL库里的NUCLEO_STM32F302R8 FLASH_EraseProgram例程。。

读写flash 错误了

有没有产生异常？

1.       /*ErasePage page ((uint32_t)0x0807F800)        //起始位*/            
   
2.      FLASH_ErasePage(FLASH_SAVE_ADDR);

复制代码

STM32F302R8是64K Flash的，不知道FLASH_SAVE_ADDR是怎么定义的，如果是注释中的0x0807F800，那么该地址超出64K 地址范围了。

zoomdy 发表于 2017-1-23 12:37
STM32F302R8是64K Flash的，不知道FLASH_SAVE_ADDR是怎么定义的，如果是注释中的0x0807F800，那么该地址超 ...

有道理，先确保在Flash地址范围内

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有没有产生异常？