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STM32F0xx_FLASH编程(片内)配置详细过程

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蝴蝶豆

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2019-2-16
发表于 2016-6-6 23:35:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
、概述
    关于数据的储存,我觉得编程的人基本上都会使用到,只是看你储存在哪里。STM32的芯片内部FLASH都是可以进行编程的,也就是说可以拿来储存数据。但是,很多做一些小应用程序开发的人都没有利用好这个功能,而是单独外接一个EEPROM或者FLASH,我觉得有些情况下(小数据、不常改动)这是对资源的一种极大浪费。
    关于使用内部FLASH进行编程,网上也有很多人这么说:1、内部FLASH的读写次数有限;2、内部FLASH会破坏程序。这些说法确实存在一定道理,对于次数,10W次,我想这个次数除非你经常写FLASH,正常情况下你打不到这个值。对于破坏程序,如果你编程严谨,这个不是问题。综上,我觉得这些都不是担心的问题,只要你用心编好程,这样就能利用好资源。
    举一个存在的例子,我三年前在STM32F1上面开发了两个产品(已经投入使用),储存的数据量一个差不多在6K左右,每使用一次,读写的次数差不多在5-10次左右,但是该产品至今还未因FLASH而出现过问题。所以说,利用好资源也是作为一位软件工程师需要考虑的。
    提示:为了安全起见,写的次数最好做一个预估,储存的地址最和程序存在一定的距离。

Ⅱ、下载
文章提供的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘,请放心下载测试,如有问题请检查一下你的板子是否有问题。
ST标准外设库和参考手册、数据手册等都可以在ST官网下载,你也可以到我的360云盘下载。关于F0系列芯片的参考手册有多个版本(针对F0不同芯片),但有一个通用版本,就是“STM32F0x128参考手册V8(英文)2015-07”建议参考该手册,以后如果你换用一种型号芯片也方便了解。

今天的软件工程下载地址(360云盘):

STM32F0xx的资料可以在我360云盘下载:
http://yunpan.cn/cS2PVuHn6X2Bj  访问密码 8c37

Ⅲ、准备工作
对于内部FLASH的编程,建议大家准备F0的参考手册和数据手册,方便查阅相关知识,没有的请到ST官网或到我360云盘下载。
今天总结的软件工程是基于“TIM基本延时配置详细过程”修改而来,因此需要将该软件工程下载准备好。我每次都是提供整理好的软件工程供大家下载,但是,如果你是一位学习者,建议自己亲手一步一步操作:打开工程 -> 新建文件(flash.c  flash.h) -> 添加相关文件到工程中 -> 添加源代码。

Ⅳ、FLASH编程说明
STM32F0系列芯片中页的大小都是规则的,也就是说都是1K或许2K大小(如图:F0_FLASH),学过其他系列芯片的人可能知道,在其他很多芯片中也有不是规则的,如F2F4中基本都不是规则的(如图:F4_FLASH),有的一块16K128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用,今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。
FLASH编程(片内)1.png
图:F0_FLASH
FLASH编程(片内)2.png
图:F4_FLASH

Ⅴ、代码描述
工程概要说明: 提供工程的源代码主要就是两个接口,一个写,一个读。
void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);
void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);
相信经常编程的人都明白函数接口的意思(我的命名规则还是算比较人性化的),就是和常见的访问外部FLASH一样,不会覆盖数据,我已经在实际工作中应用而且商业化了。
主要在地址“ADDR”处写一个标志位,在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”,则不会再次写入数据,只会读取数据,意思就是说数据只写一次,以后每次只是读取数据(就是保证掉电后数据会不会丢失)。每次读取数据,通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

提供的工程以简单为原则,详细中文注释,方便自己方便大家。

①读函数接口
FLASH编程(片内)3.png
该函数位于flash.c文件下面;
这个函数接口比较简单,直接地址读数据。
注意:
A.参数pBuffer是数据缓冲区,是16位的,而不是8位的。(其实这里可以整理为8位的,由于时间有限,后期整理一下)。
B.参数长度也是16位的数量。
C.地址是内部FLASH地址,可别溢出了,也别和程序储存地址冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。


②写函数接口
FLASH编程(片内)4.png
FLASH编程(片内)5.png
该函数位于flash.c文件下面;
这个函数接口FLASH_WriteNWord才是本文的重点,原因在于这里的写不会破坏其它数据(哪怕是临近地址),这个函数接口是比较现成的,也就是应用级的接口。经过我大量测试和项目开发,暂未发现bug。

③重点
A.页的大小:STM32F0因芯片型号差异请注意页的大小,我在程序中用一个宏来定义也的大小。


Ⅵ、说明
    或许你硬件芯片不是提供工程里面的芯片,但是STM32F0的芯片软件兼容性很好,可以适用于F0其他很多型号的芯片,甚至是F2、F4等芯片上(具体请看手册、或者亲自测试)。
    本文章提供的软件工程是基于ST标准外设库为基础建立而成,而非使用STM32CubeMX建立工程。个人觉得使用ST的标准外设库适合与学习者,STM32CubeMX建立工程结构复杂,对于学习者,特别是初学者估计会头疼。
    今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延时配置详细过程”修改而来,以上实例总结仅供参考,若有不对之处,敬请谅解。

公众号0.5m.jpg
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蝴蝶豆

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发表于 2016-6-7 09:00:32 | 显示全部楼层
学习了
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蝴蝶豆

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 楼主| 发表于 2016-6-7 15:06:07 | 显示全部楼层
昨天的FLASH编程代码有网友反应有问题,在于编译器 编译时把“WriteBuf”首地址编译为基数地址,导致寻址错误(也就是在应用的地方有BUG),但是flash.c源文件没有问题的。  
我已更新应用程序,欢迎重新下载测试。
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蝴蝶豆

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2020-12-3
发表于 2016-8-15 16:28:47 来自手机 | 显示全部楼层
源文件密码没有了?  
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蝴蝶豆

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2020-1-5
发表于 2016-8-19 17:39:37 | 显示全部楼层
学习一下,
不知道为什么 ,擦除扇区时会卡死?
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蝴蝶豆

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2019-2-16
 楼主| 发表于 2016-8-20 13:16:09 | 显示全部楼层
正在缓冲...99% 发表于 2016-8-19 17:39
学习一下,
不知道为什么 ,擦除扇区时会卡死?

提供下载的实例代码应该不会卡死哦,这个代码在实际项目中使用了,而且产品已经有两年了,还没出现这方面的问题。 你是不是修改了什么地方,或者移植代码有些配置没有改过来呢?
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蝴蝶豆

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2020-10-13
发表于 2016-8-20 16:23:09 | 显示全部楼层
用来保存不经常改变的参数,还是不错的。
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蝴蝶豆

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2020-1-5
发表于 2016-8-23 11:35:38 | 显示全部楼层
我的情况是这样:代码执行过程中,如果有串口数据,代码就卡死了。
单步调试,发现是串口中断。
感觉都片机都不听使唤了。
自己查了好久了,希望高手指点一下。

STM32F0-Flash.zip

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431.93 KB, 下载次数: 112, 下载积分: ST金币 -1

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蝴蝶豆

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2019-9-16
发表于 2016-8-23 15:15:46 | 显示全部楼层
厉害,学习下
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蝴蝶豆

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2018-11-12
发表于 2016-9-8 13:56:09 | 显示全部楼层
楼主,我用的STM32cubeMX建的工程, 貌似很不一样, 并且 FLASH_ClearFlag()什么的都没有。
有没有调通了的?
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