【STM32F303开发】+ 内部Flash模拟EEPROM

creep · 发表于 2015-6-3 21:47:29

本帖最后由 creep 于 2015-6-3 22:24 编辑

今天刚拿到开发板，写个测试程序熟悉下芯片结构。
对于ST的很多MCU内部都没有EEPROM，比如我接触到的F1/F3/F4，如果想保存一些简单的参数比如产品SN号，固件版本号等信息就可以使用内部FALSH模拟EEPROM来做，简单方便实惠。
我使用F303RE的内部Flash的Main memory的第255页（最后一页）2K字节的大小来模拟EEPROM，这个根据自己的需要来选择，尽量别和代码存放的地方相冲突。

不同的FLASH访问的操作最小单位不同，比如F103和F303都只能以16 bits操作，但是F429可以8bits/16bits/32bits访问，这要特别注意。F303的库函数提供了16bits和32bits的写Flash函数，其中的32bits函数是分2次操作，每次写16bits，可以根据要保存的数据类型分别调用。

访问内部flash需要一定的操作步骤，比如：解锁FLASH，擦除相应的页，写相应的页，锁FLASH，只要按照对应的步骤即可.
写完之后可以查看对应的FLASH空间已经有了我们写的数据了，这个数据掉电之后还是存在的。

读出写的数据发送到串口查看。

xnmc2013 · 发表于 2015-6-3 21:50:07

没有代码吗？我做过F1的和F0的，没做过F3的，可以学习下~~~~~~

creep · 发表于 2015-6-3 21:51:16

xnmc2013 发表于 2015-6-3 21:50
没有代码吗？我做过F1的和F0的，没做过F3的，可以学习下~~~~~~

已经更新了，

风子 · 发表于 2015-6-3 22:14:12

谢谢分享

Paderboy · 发表于 2015-6-3 23:17:07

多谢分享，学习了

莫林2020 · 发表于 2015-6-4 09:06:42

应该都是差不多的吧

creep · 发表于 2015-6-4 09:22:28

莫林2020 发表于 2015-6-4 09:06
应该都是差不多的吧

是的F1和F3系列的一样，F4的和这个有点区别。

role_2099 · 发表于 2015-6-4 09:34:50

这个不错，谢谢分享

JackieLaura · 发表于 2015-6-4 09:37:40

不错的教程，先收藏了，留着以后用，谢谢楼主分享

stary666 · 发表于 2015-6-4 09:57:26

l0系列的就有内部eerom

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