429 FLASH 为1M, 我想配置为dual bank， 每块512M.  设置DB1M成功。现在想擦除dual bank 15 sector, 即
#define ADDR_FLASH_SECTOR_15     ((uint32_t)0x0808C000) 。结果擦除不了。

可是如果不用dual bank, 单独擦除 8 sector 128K（含dual bank 15 sector 16K), 结果却正常。
请问谁用过dual bank。 这个是什么原因？调用函数如下：

uint32_t FLASH_EraseSector(uint32_t sectorAdd)
{
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t errSector = RET_OK;

HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASH_OB_Unlock();

/* Fill EraseInit structure*/
EraseInitStruct.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.VoltageRange = VOLTAGE_RANGE_3;
EraseInitStruct.Sector = FLASH_GetSector(sectorAdd);
EraseInitStruct.NbSectors = 1;
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &errSector);

HAL_FLASH_OB_Lock();
HAL_FLASH_Lock();
return errSector;
}

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没有查到FLASH_OPTCR_DB1M的定义，FLASH_OPTCR中也没查到这个选项。
楼主截图发一下这个寄存器的说明。

安 发表于 2015-3-27 10:53
没有查到FLASH_OPTCR_DB1M的定义，FLASH_OPTCR中也没查到这个选项。
楼主截图发一下这个寄存器的说明。 ...

谢谢回复。DB1M现在可以烧写，却不能擦除。我更新了帖子。

请问怎么 解决的呢？