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一. 应用背景
当客户遇到存储小量的数据,同时数据写的频率比较低的情况下。从成本角度希望省掉外置EEPROM,STM32提供了Backup SRAM(4K)和Flash模拟EEPROM两种方案来解决该问题。但是,Backup SRAM需要提供备用电源,Flash模拟EEPROM又比较浪费空间(存放复杂的结构体数据也不方便)。如果数据擦鞋频率较低(Flash擦写次数有限),可以考虑直接将数据存放在Flash中。本文提供了如何在IAR6.5实现该操作。
问题详细描述以及ST官方解答见文档:
在IAR 6.5下如何将数据存放至flash中.pdf
(243.1 KB, 下载次数: 68)
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