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【MCU实战经验】画图中SRAM/SDRAM/NandFlash或其他存储设备的规划技巧

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liuchangyin 发布时间:2014-4-3 12:58
     曾经做过一个项目用的是STM32F103ZET6,由于ram不够需要外扩SRAM,所以需要利用STM32的FSMC总线进行扩展,同时板子尺寸有限,在布线时特别麻烦,交错纵横。但考虑到实际应用中写入、读取SRAM数据,只是和地址线、数据线有关,理论上只要STM32把对应的地址线和数据线连上,对于同一地址的数据存入SRAM的地址和读取的地址是一样的,所以地址线是可以打乱的。而选用的SRAM(IS61LV25616)是16位数据线,STM32每次写入和读取的是16位数据,但我们实际当中所用的变量可能是8位变量,所以这就要求数据总线的高8位和低8位不能交叉连接SRAM的高8位和低8位,而高8位数据总线内部和低8位数据总线内部可以交叉连接。经以上分析,我们在画stm32电路板时连接SRAM/SDRAM/NandFlash就方便多了。
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收藏 评论1 发布时间:2014-4-3 12:58

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1个回答
wn1900 回答时间:2015-7-16 10:22:05
学习了,谢谢分享

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