怎样提高外延片的ESD能力啊？

blabla · 发表于 2013-9-26 10:04:47

大侠们，有做数字集成电路的不，怎么才能提高外延片的ESD能力，有什么有效的方法不？求解！！！

wenshijian · 发表于 2013-9-26 10:46:42

哈哈这个我有
做了ESD 6KV, 辐射50V/M

给你两个链接，一个是STM32F103做产品试验的，另一个是ISP下载线做干扰试验的。
百度贴吧：https://tieba.baidu.com/p/2587597555
21IC: http://bbs.21ic.com/icview-622072-1-1.html

狼 · 发表于 2013-9-26 13:17:44

调整低温buffer层和uGaN的生长条件尽量降低102和002/能有效改善ESD

dzc2001 · 发表于 2013-9-26 14:24:09

1、从Buffer到P-GaN所有磊晶层都会有影响，EBL效果最为显著
2、调整LT-GaN和U-GaN的生长条件，尽量降低002/102
3、PSS调试中，U-GaN厚度不能太薄，U-GaN和n-GaN的生长温度也很重要，不能产生Pits
4、各层的掺杂浓度
5、腔体密封性不好，有漏
6、气体纯度不高（点过低）
7、外延结构有问题，current spreading没有做好，overshot
8、芯片工艺没控制好，有污染

blabla · 发表于 2013-9-26 15:04:28

回复第 2 楼于2013-09-26 10:46:42发表:
哈哈这个我有
做了ESD 6KV, 辐射50V/M

给你两个链接，一个是STM32F103做产品试验的，另一个是ISP下载线做干扰试验的。
百度贴吧：https://tieba.baidu.com/p/2587597555
21IC: http://bbs.21ic.com/icview-622072-1-1.html

我先看看，有问题再跟这位老兄讨论哈，多谢啦！！

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