huangxuejia-292
发表于 2019-9-4 15:11:15
可以使用内部FLASH作为数据存储空间。
内部FLASH和其他外部FLAS一样,都是擦了才能写,有寿命限制。
如果数据简单可以自己设计磨损均衡,数据复制可以上文件系统。
其实你也可以直接写一个地方,10万次,一天一次的话,277年,应该够了的。
Dandjinh
发表于 2019-9-4 20:51:15
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM
电小龙
发表于 2019-9-4 21:13:00
Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM
您说的1、 2、是两种不同的方法吗?还是操作的步骤
电小龙
发表于 2019-9-4 21:18:39
Dandjinh 发表于 2019-9-4 20:51
1. 在PVD中写入FLASH
2. 用备份SRAM
我是这样应用的,不检测是否断电,我有个按键,没按一次就会有一个数值增加,增加后的值我就直接写进flash里面
edmundlee
发表于 2019-9-4 21:37:12
如果说只是16bit的数据, 可以划出一个区,比如256个字再,轮着写,只需要多写一个指针就可以了
Dandjinh
发表于 2019-9-5 08:53:43
电小龙 发表于 2019-9-4 21:13
您说的1、 2、是两种不同的方法吗?还是操作的步骤
两种方法
1. PVD是掉电中断,可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电
电小龙
发表于 2019-9-5 12:49:56
Dandjinh 发表于 2019-9-5 08:53
两种方法
1. PVD是掉电中断,可以设置供电电压低于/高于多少V后中断
2. 备份SRAM需要小电池供电 ...
明白了,就是在电压低于某个值后会进入PVD中断,在中断里把数据写进flash中
keijio
发表于 2019-9-5 16:27:37
就算擦写寿命5万次,每天擦写10次,得用多少年?=5000天,13.69年,何况最少寿命都在10万次以上???担心太多了。5年前我就这样用,出了10万片以上了,产品报废了都没有发现有Flash失效的。
天臆弄人
发表于 2019-9-5 18:20:12
keijio 发表于 2019-9-5 16:27
就算擦写寿命5万次,每天擦写10次,得用多少年?=5000天,13.69年,何况最少寿命都在10万次以上???担心 ...
10W次是epprom这是闪存没有10W,指标是1W
duiboqi
发表于 2019-9-5 18:41:52
可以使用内部FLASH