STM32F417 如何设置 FSMC SRAM 时序
我自己焊了一片“正点原子 STM32F417 探索者”（买的 F407 探索者空板，套上一片 STM32F417ZGT6）这块板子有一片 IS62WV51216BLL-55TLI SRAM。我现在正在写 FSMC 初始化代码，想在代码里尽量压缩 SRAM 时序。请问我该关注 SRAM 手册里面的什么参数，如何从这些参数计算出 FSMC 的时序数值？请授人以渔，因为我还需要计算其它型号 SRAM 芯片的时序，譬如 IS61LV51216-10TLI。 ST官方源代码可以参考：SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 6;
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4;
SDRAM_Timing.RowCycleDelay = 6;
SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2;
SDRAM_Timing.RPDelay = 2;
SDRAM_Timing.RCDDelay = 2;
hsdram.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
hsdram.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8;
hsdram.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;
hsdram.Init.MemoryDataWidth = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
hsdram.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
hsdram.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
hsdram.Init.SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD;
hsdram.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
hsdram.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0;
wenyangzeng 发表于 2018-1-21 10:01
ST官方源代码可以参考：
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = ...
这个代码用处不大啊：
其一，我用的是 SRAM 不是 SDRAM，时序参数都不对：我问的是 STM32 的 SRAM 时序参数怎么对应到 SRAM 数据手册里的参数。注意这里内存类型没有字母 D。
其二，我没有用 Cube 或 STL（代码太大且有暗病）而是直接操作寄存器，这些初始化结构体对我来说意义很有限。 maxtch 发表于 2018-1-21 10:55
这个代码用处不大啊：
其一，我用的是 SRAM 不是 SDRAM，时序参数都不对：我问的是 STM32 的 SRAM 时序 ...
ST这个代码不知道对你有否帮助：
wenyangzeng 发表于 2018-1-21 17:37
ST这个代码不知道对你有否帮助：
这个是 QSPI，不是 FSMC……芯片也不对……Cube 的配置参数是直接对应寄存器的，不解决问题。
我好像把问题条件在标题里面讲的很明确：
* 涉及到的外设是 FSMC 的配置寄存器怎么对 SRAM 数据手册而不是 FMC 对 SDRAM 或 QSPI；
* 用的芯片是 STM32F417 不是 F7xx，那个没有 FMC 或 QSPI 支持。
两次回答怎么都答非所问了？ 简单说就是要配置FSMC时序满足器件手册中要求的最低时序要求，比如IS62WV51216BLL-55TLI中，也就是要满足这些时序要求：
读时序
写时序
根据以上时序时间，有FSMC时钟计算出FSMC的对应时间：
如果楼主还不清楚怎么算，可以看看这个代码
/* Timing configuration for 90 MHz of SD clock frequency (180MHz/2) */
/* TMRD: 2 Clock cycles */
SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay = 2;
/* TXSR: min=70ns (6x11.90ns) */
SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;
/* TRAS: min=42ns (4x11.90ns) max=120k (ns) */
SDRAM_Timing.SelfRefreshTime = 4;
/* TRC:min=63 (6x11.90ns) */
SDRAM_Timing.RowCycleDelay = 7;
/* TWR:2 Clock cycles */
SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime = 2;
/* TRP:15ns => 2x11.90ns */
SDRAM_Timing.RPDelay = 2;
/* TRCD: 15ns => 2x11.90ns */
SDRAM_Timing.RCDDelay = 2;
hsdram.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK2;
hsdram.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8;
hsdram.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_12;
hsdram.Init.MemoryDataWidth = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
hsdram.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
hsdram.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
hsdram.Init.SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD;
hsdram.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_DISABLE;
hsdram.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; 满足器件手册中的时序min要求就值，就是最大能压缩到的时间，否则，再短，稳定性将无法保障。 nyszx 发表于 2018-1-22 09:31
如果楼主还不清楚怎么算，可以看看这个代码
这些寄存器看上去和 F407/F417 的很不一样啊。您选的芯片参数和 SRAM 数据手册对应的很好，但 F407/F417 的就只有四个时序参数且没有对应关系。 ST官方有个应用笔记 AN2784 ，里面有专门讲述。搜索不难得到。
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