24c系列最高读写速度400k，一般都达不到的。肯定要延时。

muyou xueguo

看了大家在写的时候是一个字节一个字节的写，按照EEPROM的写要求，写数据需要5ms的延时，那么我写200个字节的硬件延时就1s了，我的方法是这样的，能正常写数据。初始化和读直接调用的库。每次跨页的时候才有一个5ms的写周期延时。

1. void I2C2_WriteBuff16(uint8_t deviceAddr,uint16_t writeAddr,uint8_t *pData,uint8_t size)
   
2. {
   
3.         uint8_t temp;
   
4.         if (HAL_I2C_Mem_Write(&hi2c2,deviceAddr,writeAddr,I2C_MEMADD_SIZE_16BIT,pData,size,I2C_TIMEOUT)!= HAL_OK)
   
5.         {}
   
6.         while (HAL_I2C_GetState(&hi2c2) != HAL_I2C_STATE_READY);
   
7. }

复制代码

1. /* EEPROM写数据 */
   
2. void EE_WriteBuff(uint8_t deviceAddr,uint16_t writeAddr,uint8_t *pData,uint8_t size)
   
3. {
   
4.         uint8_t index;
   
5.         uint8_t temp1,temp2,temp3;
   
6.         uint16_t addrTemp = writeAddr;
   
7. 
   
8.         temp1 = EE_PAGE_SIZE - writeAddr % EE_PAGE_SIZE;
   
9.         if(size > temp1)                                //写数据超过当前页能写数据
   
10.         {
    
11.                 temp2 = (size-temp1) / EE_PAGE_SIZE;        //整页数
    
12.                 temp3 = (size-temp1) % EE_PAGE_SIZE;        //最后页写字节数
    
13.         }
    
14.         else                                                                                //写数据不跨页
    
15.         {
    
16.                 temp1 = size;                                        //单页
    
17.                 temp2 = 0;
    
18.                 temp3 = 0;
    
19.         }
    
20.         if(temp1)                                                                //写开始页
    
21.         {
    
22.                 I2C2_WriteBuff16(deviceAddr,addrTemp,pData,temp1);
    
23.                 pData = pData+temp1;        //数据指针偏移
    
24.                 addrTemp += temp1;
    
25.                 DelayMs(8);                                        //必须，5ms写周期，否则写出错
    
26.         }
    
27.         if(temp2)                                                                //写整数页
    
28.         {
    
29.                 for(index = 0;index<temp2;index++)
    
30.                 {
    
31.                         I2C2_WriteBuff16(deviceAddr,addrTemp,pData,EE_PAGE_SIZE);
    
32.                         pData = pData+EE_PAGE_SIZE;
    
33.                         addrTemp += EE_PAGE_SIZE;
    
34.                         DelayMs(8);
    
35.                 }
    
36.         }
    
37.         if(temp3)                                                                //写最后剩余数据
    
38.         {
    
39.                 I2C2_WriteBuff16(deviceAddr,addrTemp,pData,temp3);
    
40.                 DelayMs(8);
    
41.         }
    
42. }

复制代码

看样子HAL库设计的还是不方便啊

lcdi 发表于 2015-5-14 10:04
看样子HAL库设计的还是不方便啊

在这里和HAL库没有任何关系，HAL库为你实现了读写多个字符的操作，这个主要还是和EEPROM器件有关，在读的过程中，可以直接调用读方法读任意的字节，但是写的过程中EEPROM规定是一页一页的写的，比如你一页16字节，你从0地址开始写17个字节，第0个地址会被第17个字节替换，为了防止替换才需要换页操作了，在其他库的操作中也同样需要这样，只不过在写一个字节的操作可能换页判断会简单点。

create_ce 发表于 2014-11-4 13:51
解决了
HAL_StatusTypeDef EEPROM_WriteData(uint16_t MemAddress, uint8_t *pData, uint16_t Size)
{

I2C的芯片都很慢，读写时序需要比较长。最可靠的方法就是一个字节一个字节第写。

wtliu 发表于 2015-5-17 13:57
I2C的芯片都很慢，读写时序需要比较长。最可靠的方法就是一个字节一个字节第写。 ...

I2C总线的速度是慢，EEPROM读写最快也就400K，但是你要一个字节一个字节的写那就1K的速度都达不到了。建议查看下EEPROM的分页和页写延时。如果你一个字节一个字节写，要保证第一个字节写进去了然后再写第二个字节，那必须等5ms的延时，才能写下一个，但是处理好了分页操作之后，可以在写入N个字节之后再等待一个5ms的写操作延时。

create_ce 发表于 2014-11-3 15:13
我写正常，就是读多字节的时候不太正常

我的读好像也不正常。你怎么解决的？

create_ce 发表于 2014-11-4 13:51
解决了
HAL_StatusTypeDef EEPROM_WriteData(uint16_t MemAddress, uint8_t *pData, uint16_t Size)
{

我现在按照你的程序，每次都32字节还是异常，每次读出来不一样，太奇怪了

我的在这里就已经死掉了，单片机为是stm32f103zet6,  eeprom是at24c512c. while(HAL_I2C_IsDeviceReady(&hi2c1,0x00A0,10,1000)!=HAL_OK)

读写也全都得不到HAL_OK，请大家帮忙分析，另外板子是自己做的。

谢谢