因为项目需要，有一部分配置的数据需要保存到FLASH存储区。于是查看了官方的手册，STM32F429ZI是按照扇区划分，划分为Bank1和Bank2。其中每一个块又划分为12个扇区，4个16kb，1个64kb，7个128kb。我拟定将要存储的数据放到Bank1的第3个16kb的扇区中。即起始地址为0x08008000的FLASH位置。同时我也参考了官方的例程，但是擦除和写入数据过程均出现了很奇怪的问题。代码是用STM32CubemX生成，编译器是Keil5代码截取了关键部分和现象如下图。

1. <div>//宏定义</div><div>#define    FLASH_PAGE_ID_CARD   ((uint32_t)0x08008000) </div><div>
   
2. </div><div>
   
3. </div><div>//定义要写入的数据和指向FLASH的指针</div><div>int text[10]= {1,2,3,4,5,6,7,8,9,10};</div><div>uint32_t *ID_card[10];</div><div>
   
4. </div><div>//将指针指向FLASH的地址位置</div><div>for(int k=0;k<10;k++)
   
5. {
   
6.     *ID_card[k] = NULL;
   
7.     ID_card[k] = (uint32_t *)(0x08008000+(k*4));
   
8. }
   
9. </div><div>
   
10. </div><div>
    
11. </div><div>//以下是循环读写擦除的代码</div><div>while(1)
    
12. </div>                                {
    
13.     HAL_FLASH_Unlock();                                                                                                                                                                                                //FLASH解锁
    
14. 
    
15.     EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;                           //只擦除模式
    
16.     EraseInitStruct.Sector = FLASH_PAGE_ID_CARD;                                                                                        //开头的闪存区
    
17.     EraseInitStruct.NbSectors = 1;                                                                                                                                                //擦1页
    
18.     EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;                                                        //擦除电压在2.7-3.3V
    
19. 
    
20.     if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)                               //开始擦除页面
    
21.     {
    
22.         printf("存储区擦除失败\r\n");
    
23.     }
    
24.                                                 
    
25.     for(int i=0;i<10;i++)               
    
26.     {
    
27.         if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_PAGE_ID_CARD + (i*4),text[i]) !=HAL_OK)
    
28.          {
    
29.              printf("写入失败\r\n");
    
30.          }
    
31.      }
    
32.                                                 
    
33.     for(int k=0;k<10;k++)
    
34.     {
    
35.         printf("原始数据为%d   ",text[k]);
    
36.         printf("%p位置数据为%d\r\n",ID_card[k],*ID_card[k]);
    
37.     }
    
38. 
    
39.     HAL_FLASH_Lock();                                                                                                                                                                                                 //FLASH上锁
    
40.                                                 
    
41.     HAL_Delay(5000);
    
42.                                                 
    
43.     for(int i=0;i<10;i++)
    
44.     {
    
45.         text[i]++;
    
46.     }
    
47.                                 }

复制代码

这是串口打印的文件数据，除第一次擦除报错以外，其他的均没有报错，但是同时也除了第一次写入的数据是和逻辑一样，之后的数据写入也均出现了错误。也就是下载程序以后除了第一次写入正常以外，其他的写入都不对了。希望有人能为我解惑。
另外我还有一个问题想请教：
1.在F103系列，FLASH扇区都是1KB或者2KB一页，在F4中大小容量均变了，那么我写入一个数据就需要擦除16kb的大小吗？或者说是我需要单独留出16kb的大小来存放一部分配置文件吗？

代码不清楚我附上一张图

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要先擦除才能写，最小擦除单位是Sector

陌路夕颜 发表于 2020-7-8 13:36
要先擦除才能写，最小擦除单位是Sector

我知道，但是我就是在擦除过程中出问题了，擦除并没有擦掉这一个扇区。

擦除失败时的错误码的什么？看看能提供什么信息？有打开写保护吗？
另外，用示波器看看擦除过程中VDD的电压有什么变化？有没有明显掉电的情况？