ST意法半导体中文论坛FSMC NAND控制寄存器中，TAR，TCL位的含义是什么？谢谢前辈。

FSMC NAND控制寄存器中，TAR，TCL位的含义是什么？谢谢前辈。

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fkl523 提问时间：2018-1-8 15:52 /

问答
是否解决:

以TAR为例，手册中解释是 ALE low到RE low的延时，这个RE指什么？是指NOE吗？

并且给出了延时时间为：

t_ar = (TAR + SET + 4) x THCLK

上式中的延时和手册中另外一幅图的解释存在不一致，

如图

图中，NOE之前的建立阶段时间为，MEMSETx + 1，没提到上述TAR参数，

就是这个TAR这里看不明白，谢谢前辈。

赞收藏评论4 发布时间：2018-1-8 15:52

4个回答

dsjsjf 回答时间：2018-1-8 22:27:14

帮顶一下

大佬下次可以一起帮忙回答啊~~ 发表于 2018-1-25 08:52

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toofree 回答时间：2018-1-25 00:34:26

看了手册，根据种种迹象，这里面说的应该是NAND Flash端的时序。

傲游截图20180125003058.jpg

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fkl523 回答时间：2018-3-3 16:34:06

toofree 发表于 2018-1-25 00:34
看了手册，根据种种迹象，这里面说的应该是NAND Flash端的时序。

应该就是这个参数，很有帮助，谢谢前辈

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