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NUCLEO-F412ZG测评：RAM和FLASH速率 早有耳闻STM32家族MCU在FLASH中执行代码的速率比在RAM中执行快。由于其他厂商的MCU大多是代码在RAM中执行的速率比在FLASH中快。抱着疑问，基于STM32F412的NUCLEO板做了这个简单的测试。
测试方法： 首先让代码加载到RAM中执行，在主函数中while(1)循环翻转GPIO，通过示波器检查GPIO的翻转速率；然后再通过修改分散加载文件，把代码加载到FALSH中执行，通过示波器检查GPIO的翻转速率。 实验现象： ①代码在RAM中执行： 通过分散加载文件把代码加载到RAM中执行。
把代码加载到RAM中的分散加载文件
通过.map观看代码把加载到RAM中的具体位置。
通过.map文件可看出代码被加载到RAM中执行
通过示波器检测代码在RAM中执行时的GPIO翻转速率。
代码在RAM中执行的GPIO翻转波形
②代码在FLASH中执行： 通过修改分散加载文件把代码加载到FLASH中执行。
把代码加载到FLASH中执行的分散加载文件
通过.map观看代码把加载到FALSH中的具体位置。
代码在FLASH中执行的.MAP文件
通过示波器检测代码在FLASH中执行时的GPIO翻转速率。
代码在FLASH中执行的GPIO翻转波形
误差和限制： 由于受到GPIO外设的限制，GPIO的翻转速率并不代表RAM和FLASH的代码执行速率，但能通过单一变量控制的方法粗略对比出两者的速率大小。GPIO的翻转速率仅代表此次实验的结果，仅供参考。 结果和分析：由以上现象得出，在STM32F412的FLASH中代码执行速率比在RAM中快；STM32F412的GPIO翻转速率（高→低→高）在一般条件下可达2.72MHz。 实验意义： 首先得出在STM32F412中，代码在FLASH中执行的速率比在RAM中快的结论。想要提高代码的执行速率，则应把代码加载到FLASH中执行。据说这与STM32内部的总线仲裁机制有关。 其次，对于100MHz主频的STM32F412来说，代码在RAM中执行的速率对于一般应用尚可接受。对于拥有1M Byte FLASH和256K Byte的STM32F412ZG来说，不对其内存进行充分的利用仿佛有点浪费。如果要拿片内的FLASH来存储用户数据（非代码数据），则可能会遇到擦写片内FLASH与中断产生而使程序跑飞的问题。此情况下用户可通过把代码加载到RAM中执行，解决操作片内FLASH和中断共存的问题。 最后，GPIO口的翻转速率，是用GPIO模拟各种外设通信接口（如SPI,I2C等）的前提保障，以上实测STM32F412ZG的GPIO翻转速率仅供参考，不过相对于本人用过其他某一厂商100MHz的cortex M4来说，STM32F412ZG的GPIO翻转速率还是相对较快的。
注：本实验实验编程环境为keil-MDK5.14开发环境，由之前《NUCLEO-F412ZG测评：UID和RNG(随机数)》的工程代码修改后进行测试。由于程序比较简单，就不贴上来了。如有兴趣可下载《NUCLEO-F412ZG测评：UID和RNG(随机数)》的工程自行修改：https://www.stmcu.org.cn/module/forum/thread-608121-1-1.html
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发表于 2016-10-11 10:35:24
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