【HAL库每天一例】第061例： CPU内部Flash读写

haohao663 · 发表于 2016-7-5 09:17:45

【HAL库每天一例】系列例程从今天开始持续更新。。。。。
我们将坚持每天至少发布一个基于YS-F1Pro开发板的HAL库例程，
该系列例程将带领大家从零开始使用HAL库，后面会持续添加模块应用例程。
同样的，我们还程序发布基于HAL库的指导文档和视频教程，欢迎持续关注，并提出改进意见。
例程下载：
资料包括程序、相关说明资料以及软件使用截图
链接：https://pan.baidu.com/s/1i574oPv
密码：r3s3
（硬石YS-F1Pro开发板HAL库例程持续更新\1. 软件设计之基本裸机例程(HAL库版本)\YSF1_HAL-061. CPU内部Flash读写）
/**
  ******************************************************************************
  *                         硬石YS-F1Pro开发板例程功能说明
  *
  *  例程名称: YSF1_HAL-061. CPU内部Flash读写
  *
  ******************************************************************************
  * 说明：
  * 本例程配套硬石stm32开发板YS-F1Pro使用。
  *
  * 淘宝：
  * 论坛：硬石电子社区
  * 版权归硬石嵌入式开发团队所有，请勿商用。
  ******************************************************************************
  */

【1】例程简介
  STM32F103ZET6总共有512KB的内部Flash，一般用于程序存储，一般都不会再使用内部Flash存放
数据，开发板上集成了EEPROM和串行Flash用于提供存储数据。标准库提供了操作内部Flash的接口
函数，我们可以实现对内部Flash进行读写操作。

【2】跳线帽情况
******* 为保证例程正常运行，必须插入以下跳线帽 **********
丝印编号    IO端口    目标功能引脚       出厂默认设置
  JP1       PA10       TXD(CH340G)       已接入
  JP2       PA9       RXD(CH340G)       已接入
  JP3       PB0          LED1             已接入

【3】操作及现象
  使用开发板配套的MINI USB线连接到开发板标示“调试串口”字样的MIMI USB接口（需要安装驱动），
在电脑端打开串口调试助手工具，设置参数为115200 8-N-1。下载完程序之后，在串口调试助手窗口可
接收到信息。

/******************* (C) COPYRIGHT 2015-2020 硬石嵌入式开发团队 *****END OF FILE****/

stm_flash.h文件内容

#ifndef __STMFLASH_H__
#define __STMFLASH_H__
/* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/
#include "stm32f1xx_hal.h"
/* 类型定义 ------------------------------------------------------------------*/
/* 宏定义 --------------------------------------------------------------------*/
/************************** STM32 内部 FLASH 配置 *****************************/
#define STM32_FLASH_SIZE 512 // 所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN 1 // stm32芯片内容FLASH 写入使能(0，禁用;1，使能)
/* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*/
/* 函数声明 ------------------------------------------------------------------*/
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr); //读出半字
void STMFLASH_WriteLenByte(uint32_t WriteAddr, uint32_t DataToWrite, uint16_t Len ); //指定地址开始写入指定长度的数据
uint32_t STMFLASH_ReadLenByte(uint32_t ReadAddr, uint16_t Len ); //指定地址开始读取指定长度数据
void STMFLASH_Write( uint32_t WriteAddr, uint16_t * pBuffer, uint16_t NumToWrite ); //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read( uint32_t ReadAddr, uint16_t * pBuffer, uint16_t NumToRead ); //从指定地址开始读出指定长度的数据
void Test_Write( uint32_t WriteAddr, uint16_t WriteData ); //测试写入
#endif /* __STMFLASH_H__ */
/******************* (C) COPYRIGHT 2015-2020 硬石嵌入式开发团队 *****END OF FILE****/

复制代码

stm_flash.c文件内容

/**
******************************************************************************
* 文件名程: stm_flash.c
* 作者: 硬石嵌入式开发团队
* 版本: V1.0
* 编写日期: 2015-10-04
* 功能: 内部Falsh读写实现
******************************************************************************
* 说明：
* 本例程配套硬石stm32开发板YS-F1Pro使用。
*
* 淘宝：
* 论坛：http://www.ing10bbs.com
* 版权归硬石嵌入式开发团队所有，请勿商用。
******************************************************************************
*/
/* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/
#include "stmflash/stm_flash.h"
/* 私有类型定义 --------------------------------------------------------------*/
/* 私有宏定义 ----------------------------------------------------------------*/
#if STM32_FLASH_SIZE < 256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
#if STM32_FLASH_WREN //如果使能了写
static uint16_t STMFLASH_BUF [ STM_SECTOR_SIZE / 2 ];//最多是2K字节
#endif
/* 私有变量 ------------------------------------------------------------------*/
/* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*/
/* 私有函数原形 --------------------------------------------------------------*/
/* 函数体 --------------------------------------------------------------------*/
/**
* 函数功能: 读取指定地址的半字(16位数据)
* 输入参数: faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
* 返回值: 返回值:对应数据.
* 说明：无
*/
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord ( uint32_t faddr )
{
return *(__IO uint16_t*)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN //如果使能了写
/**
* 函数功能: 不检查的写入
* 输入参数: WriteAddr:起始地址
* pBuffer:数据指针
* NumToWrite:半字(16位)数
* 返回值: 无
* 说明：无
*/
void STMFLASH_Write_NoCheck ( uint32_t WriteAddr, uint16_t * pBuffer, uint16_t NumToWrite )
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToWrite;i++)
{
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);
WriteAddr+=2; //地址增加2.
}
}
/**
* 函数功能: 从指定地址开始写入指定长度的数据
* 输入参数: WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
* pBuffer:数据指针
* NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
* 返回值: 无
* 说明：无
*/
void STMFLASH_Write ( uint32_t WriteAddr, uint16_t * pBuffer, uint16_t NumToWrite )
{
uint16_t secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
uint16_t secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
uint16_t i;
uint32_t secpos; //扇区地址
uint32_t offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<FLASH_BASE||(WriteAddr>=(FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
};
HAL_FLASH_Lock();//上锁
}
#endif
/**
* 函数功能: 从指定地址开始读出指定长度的数据
* 输入参数: ReadAddr:起始地址
* pBuffer:数据指针
* NumToRead:半字(16位)数
* 返回值: 无
* 说明：无
*/
void STMFLASH_Read ( uint32_t ReadAddr, uint16_t *pBuffer, uint16_t NumToRead )
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
ReadAddr+=2;//偏移2个字节.
}
}
/**
* 函数功能: 向内部flash写入数据测试
* 输入参数: WriteAddr:起始地址
* WriteData:要写入的数据
* 返回值: 无
* 说明：无
*/
void Test_Write( uint32_t WriteAddr, uint16_t WriteData )
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}
/******************* (C) COPYRIGHT 2015-2020 硬石嵌入式开发团队 *****END OF FILE****/

复制代码

stary666 · 发表于 2016-7-5 15:15:26

ql1000 · 发表于 2016-8-15 15:02:31

学习学习

haohao663 · 发表于 2016-8-15 15:21:55

百度云盘：https://pan.baidu.com/s/1slN8rIt 密码：u6m1
360云盘：http://yunpan.cn/OcPiRp3wEcA92u密码 cfb6

jwnydy · 发表于 2018-7-7 14:26:21

使用该驱动进行OTA升级的时候，每次写1298字节，高概率出现写flash的情况。现象就是，每次写进flash 128字节数据，然后再读出，发现两者数据不一样，不知有没有遇到这种情况？

【HAL库每天一例】第061例： CPU内部Flash读写

浏览过的版块