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关于stm8s105xx复位
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关于stm8s105xx复位
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发表于 2011-6-16 17:45:30
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请教下目前我用stm8s105xx做一款产品,其他功能都正常,但是在用两个I/O口来控制可控硅时容易产生复位、死机现象,可控硅是连接350V电压的,当然中间要加一个大的电容,就是让350v电源导通一下,各位能给些改良建议吗,谢谢!
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发表于 2011-6-16 22:40:32
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RE:关于stm8s105xx复位
这么大的电压,如果电流倒置的话,会烧掉CPU,建议你加处理,使用MOS管什么的。
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发表于 2011-6-17 00:17:47
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回复:关于stm8s105xx复位
回复第 2 楼 安于2011-06-16 14:40:32发表:
这么大的电压,如果电流倒置的话,会烧掉CPU,建议你加处理,使用MOS管什么的。
这个项目在行业中都是这样做的,做了两个板,一个是用atmel做的,一个是st的,atmel的那个就很稳定,st的就不行,有什么建议改良的吗?
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发表于 2011-6-17 09:44:06
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RE:关于stm8s105xx复位
你把IO设置为输出开漏模式。
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发表于 2011-6-19 22:59:36
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回复:关于stm8s105xx复位
回复第 4 楼 安于2011-06-17 01:44:06发表:
你把IO设置为输出开漏模式。
我用的是内部HSI,我看了下ST的EMC改善文档,PCB布板的时候,MCU下面需要屏蔽,另外还有NRST脚加电容,我画板的时候没注意,就加了个外接电阻,没接电容,实验的时候想起来,就在外搭了个104电容,效果也是不理想,重新布板的时候我会重新加进去的,目前有将不用的I/O口设为输出H,上拉到vdd,这样行吗?控制可控硅的IO设置为输出开漏模式?这样我会试试的,谢谢!还有什么要注意的吗? 多谢了,争取采集些意见,重新布板能过,谢谢!
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发表于 2014-9-21 23:28:28
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a0a.1 0b0c
回复:关于stm8s105xx复位
我用STM8控制可控硅,也出现了这样的问题,STM8有时会复位,STM8下面也敷铜接地的,STM8的IO输出,经ULN2003触发可控硅的触发极,现在苦于怎么解决STm8的复位
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