STM32F030 FLASH存储问题
最新在用STM32F030 因为没有外部存储设备，现在用的是芯片的FLASH来当存储，现在遇到的问题是刷一次程序后，第一次读取可以读取到，当第二次或者多次写入或者擦除的时候读取不到数据，这种情况是为什么啊？很疑惑，看正点原子和野火 都可以，但是实际用的时候不知道为什么只能读取一次正确的数据，剩下的读取到的都是FF FF#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
//#include "usart.h"
//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
{
return *(uint16_t*)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN //如果使能了写
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToWrite;i++)
{
FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
WriteAddr+=2;//地址增加2.
}
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif
uint16_t STMFLASH_BUF;//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)
{
uint32_t secpos; //扇区地址
uint16_t secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
uint16_t secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
uint16_t i;
uint32_t offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
};
FLASH_Lock();//上锁
}
#endif
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToRead)
{
uint16_t i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
ReadAddr+=2;//偏移2个字节.
}
}
//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t WriteData)
{
STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
}
就是原子哥写的底层 是我哪里没有学到位吗？ hhhhhhhaa 发表于 2020-10-7 16:02
是我哪里没有学到位吗？
读取FLASH的源代码没问题，看你读取的是否是同一个地址的数据 防止沉了，自己回复:lol:lol:lol 还是没有知道的吗，还是说大家都放假啦，STM32的FLASH到底能不能断电保存数据呢？ 1、FLASH可以用来存储一些数据，但不能太频繁，避免写坏
2、从代码上看操作应该没问题，考虑检查一下写入地址和读取地址是正确。 安 发表于 2020-10-8 16:07
1、FLASH可以用来存储一些数据，但不能太频繁，避免写坏
2、从代码上看操作应该没问题，考虑检查一下写入地 ...
写入和读取的地址是正确的，不断电没有问题，但是一断电就不行了，读取到的就是FF hhhhhhhaa 发表于 2020-10-9 14:55
写入和读取的地址是正确的，不断电没有问题，但是一断电就不行了，读取到的就是FF ...
我也感觉是地址错误，能否提供一下你读写的Flash地址。