如何快速可控将编译生成的烧录文件占用FLASH容量变大？
因为需要测试STM32做的串口OTA升级功能，就希望通过修改代码，快速填充满指定的FLASH区域？
是在代码中查表，将表格内的数据反复重复复制粘贴快？
还是弄一个条件判断调用的函数，函数里重复没有实际意义的赋值乘法运算好？
还是大佬们有试过的诀窍可以传授给我？
在这里先谢谢专门点进来看的各位！
充满有什么意义？加密用还是？用 winhex打开烧写文件，喜欢怎么填充都行，而且还快。 烧录文件占用FLASH容量变大？楼主想做什么？大家都是在压缩代码。楼主最好说出你的想法，大家才能帮你出更合适的方案。 我可能没有表述完善
是这样的
OTA升级需要用串口接收升级数据包，
而这些升级数据包是通过上位机读取HEX烧录文件分包传给MCU的，
所以我希望自己写的bootloader跳转后的APP运行程序尽量占用满我分配的FLASH区间（例如分配的是456K字节）
补充贴一下我之前的OTA升级流程图的 帖子会比较能说明：
https://www.stmcu.org.cn/module/forum/thread-621471-1-1.html
用来评估最极限情况下，升级所需要的总时间，在bootloader中设置超时时间，如果超过超时时间还没有完成升级，则重启恢复运行升级前的版本的APP代码
那就把APP部分的HEX文件填满，或者直接填满所有空间（APP）部分，不管其功能。让上位机去升级最大空间的这个代码文件，不就可以测试烧录时间了么。至于填充方式，大部分烧录软件都有，设置好起始地址就可以了 你可以在代码里定义一个静态变量，把这个变量分配到固定的flash位置，例如438k这个位置
以下是网上搜到的，不保证完全正确，参考一下
1、定义一个数组比如value[],让数组的首地址指向特定的SRAM地址,比如0x200001001）__align(8) uint8_t value __attribute__((at(0x20000100))); MDK中定义2）int value[] __attribute__((section(".ARM.__at_0x20000100"))) = {0x01, 0x02}; GCC中定义2、指定函数的存放地址void func (void) __attribute__((section(".ARM.__at_0x00000200")));
页:
[1]