踩不死的小强 发表于 2019-8-5 19:52:38

请教STM32L151RTC6 内部EEPROM无法重复写入的问题

大家好！
      本人刚刚使用ARM，比较生疏，模仿网上使用库函数编写程序！使用的芯片是STM32L151RTC6！
      使用FLASH_Status DATA_EEPROM_ProgramByte(uint32_t Address, uint8_t Data)函数，只能写入一个地址一次，重复写入是不知什么原因FLASH_GetStatus()标志位一直不是FLASH_COMPLETE，清楚标志位之后也不好用，不知什么原因标志位一直都在不知FLASH_ERROR_PROGRAM就是 FLASH_ERROR_WRP，导致程序一直无法写入！
       奇怪的是如果忽略这几个标志位，不调用库函数，直接以寄存器的形式编写程序则读写无误，不知原因，请大家多帮助，如何使用库函数，尝试了在写数据前清除所有的标志，没用，似乎清除不掉，后面获取标志还是FLASH_ERROR_PROGRAM或FLASH_ERROR_WRP，一直写不进内容！
      请大家帮忙，多多益善，谢谢！

mmuuss586 发表于 2019-8-6 09:40:34

写之前需要unlock的

安 发表于 2019-8-6 10:34:24

只能写入一次的问题，是因为写入前未进行擦除操作。加上擦除代码就可以了。

wenyangzeng 发表于 2019-8-6 10:40:29

写Flash前需要Flash页删除的


lqf321 发表于 2019-8-6 17:21:46

一般步骤，解锁 - 清楚标志位 - 擦除- 写入 -加锁
页: [1]
查看完整版本: 请教STM32L151RTC6 内部EEPROM无法重复写入的问题