关于RW-DATA在ROM中被写flash操作改动的问题
在使用keil开发STM32应用程序时，点击Build后在Build Output窗口中经常会有如下信息：[*]图中几个参数分别代表
[*]Code：代码的大小
[*]RO：常量所占空间
[*]RW：程序中已经初始化的变量所占空间
[*]ZI：未初始化的static变量和全局变量以及堆栈所占的空间
[*]上述参数和芯片Flash以及SRAM的对应关系是
[*]Flash占用大小=Code+RO+RW
[*]SRAM占用大小=RW+ZI
RW参数同时参与了Flash和SRAM占用量的计算，这是因为Flash部分的属性是Read-Only的，而SRAM虽然是Read-Write但里面数据不能掉电保存，所以只能把已经初始化的值保存到ROM里，上电后再拷贝到SRAM中进行读写操作，即两部分都需要留出RW变量所占用的空间。
如图：
结合上图说下STM32的启动过程（采用Cortex-M4、Cortex-M3内核的芯片基本都是这个过程）：上电后首先从 0x00000000（映射到0x08000000，这里只考虑从内部Flash启动）处获得中断向量表，然后在运行用户代码之前会在标号2处有一段引导代码负责把存在Flash中的初始化变量的值Copy到SRAM中对应的变量位置（标号3），之后把ZI区全部清零（标号4），之后才正式开始运行用户代码（标号5）。
所以RW-DATA的数据上电运行后会被Copy到RAM里。
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然后我的问题是：如果程序运行过程中，我操作写flash，并且是在原RW-DATA的内存地址上写了新的数据，那岂不是原来的RW-DATA数据就会被清除，下次上电启动程序时，程序是否会启动失败？（我实际上写的程序运行过程中没有问题，即使重新上电运行，所以很迷茫这个问题，希望有人帮忙解答一下疑问）
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111111 变量、函数、程序 地址分配是在编译时就已经分配好了，如果你的变量用到SRAM指定地址，这部分SRAM在编译时就会特定分配。 楼主所述的：
“Flash占用大小=Code+RO+RW”一句
既然RW是变量，那么Flash大小就不可能包括RW,RW应该在SRAM中才是。 wenyangzeng 发表于 2019-7-19 15:30
楼主所述的：
“Flash占用大小=Code+RO+RW”一句
断电SRAM是不能保存数据的，所以RW-DATA保存在flash中，上电启动过程会被copy到SRAM中，供程序调用。 Kevin201707 发表于 2019-7-19 10:17
变量、函数、程序 地址分配是在编译时就已经分配好了，如果你的变量用到SRAM指定地址，这部分SRAM在编译时 ...
但是断电的时候，RW是保存在flash中的，启动才被copy到SRAM的。
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