关于STM32F407的Flash操作
本帖最后由 xiaoshen-372360 于 2018-11-28 16:33 编辑说说现在的状况吧，我只是写了一个测试程序，都是用的库操作，但是在库函数的提示是正在执行Flash操作
先把代码贴出来
#define Flash_BackUpAddr 0x080E0000
很简单的程序，但是在到这个函数的时候出现这个问题，在进行半字编程的时候直接跳过写入函数，提示的是：FLASH_ERROR_PROGRAM，但是不知道为啥会出现这种状况……在没有进行Flash操作的时候就出现下面的寄存器错误
仔细查找原因，是由于使能了定时器的时钟之后就出现了这个问题，不知道为啥会出现这个状况
所以这个就直接跳到return 不知道啥原因，查了Flash编程手册也没找到原因，求大侠指导一下
大侠们帮帮忙，谢谢了
========================================================
解决的方式是这样的~~~~~~
========================================================
在需要写入前，先清掉两个状态标志位（根据手册上的来说是将该位写入1 则会将该位清零）
FLASH->SR |= FLASH_SR_PGSERR|FLASH_SR_PGPERR;
这样的话Flash 的标志位被清除掉就可以了，
需要注意的是，要按照flash编程手册上的来，遇到问题了再解决，哈哈哈哈哈，
每次写入前，最好是不管擦没擦过，都进行一次擦除。这样是最好的操作。 首先搞清楚是不是数据长度的问题，这里是半字，不是半字节
其次是确认一下写入的地址在用的这款芯片里面存在吗？是不是刚好写到跨页了？这个型号的页是1K还是2K？ 先擦除，再写入。 安 发表于 2018-11-28 10:14
先擦除，再写入。
如果原始的数据位FF可以直接写入的， 奏奏奏 发表于 2018-11-28 10:10
首先搞清楚是不是数据长度的问题，这里是半字，不是半字节
其次是确认一下写入的地址在用的这款芯片里面存 ...
我先回答大佬的问题嘛，我用的是32的内部Flash
1：芯片地址是存在的，Jlink可以访问并读出数据
2：跨页这个问题需要确认
3：这个页是128K， 安 发表于 2018-11-28 10:14
先擦除，再写入。
我刚刚试了，擦除了再写入还是不行，那两个状态寄存器的标志一直在，不知道哪里出了问题 本帖最后由 安 于 2018-11-28 11:39 编辑
楼主操作的时候，有解锁FLASH吗？FLASH_Unlock
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
安 发表于 2018-11-28 11:36
楼主操作的时候，有解锁FLASH吗？FLASH_Unlock
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_DataCacheCmd(DIS ...
Flash解锁了，数据缓存没做。我试试看 安 发表于 2018-11-28 11:36
楼主操作的时候，有解锁FLASH吗？FLASH_Unlock
FLASH_Unlock(); //解锁
FLASH_DataCacheCmd(DIS ...
刚刚试过了，还是不行
我的测试代码如下：void Flash_Test()
{
FLASH_Unlock();//--解锁Flash ----
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
FLASH_EraseSector(Flash_BackUpSector,VoltageRange_3);//--Flash-擦除扇区--
FLASH_ProgramHalfWord(Flash_BackUpAddr,0xaa55);
FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存
FLASH_Lock();//--Flash 上锁--
}但是，还是同样的问题。
在遇到状态监测这个函数的时候始终返回说：FLASH_ERROR_PROGRAM 返回的是这个状态位--而状态寄存器当前的状态是这个样子的
或者说从单片机一上电之后使能了定时器中断之后就是这个样子
不知道哪里出现了问题，我查看了编程手册，库函数是按照编程手册的顺序来完成的。
页:
[1]
2