关于STM32F103VGT6 FLASH闪存擦除库函数异常
本帖最后由 xsnbzj 于 2017-7-5 15:28 编辑这两天，我手上拿到了一颗STM32F103VGT6的芯片，芯片的FLASH容量是1M字节。
在做调用STM32 闪存擦除指令时发现一个问题：
擦到0x808 0000时，会自动跳转到0x800 0000地址，觉得很奇怪。
也看了STM32的FLASH闪存编程手册，没有提到1024K大容量的信息，最多是512K的。
验证代码：
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8064000；
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 没问题，可以擦除这页的内容。
但是：
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8080000；
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 擦除的确是0x800 0000的内容。不知道为什么。
不知道有没有大神遇到过这类情况。还是本身，STM32就有针对VGT6的这个BUG存在。
帮顶 感觉STM32F103VG有这个漏洞 顶~~台主求助 楼主，你下载最新的固件库吧。里面描述了大于512K时，如何操作，如下：
STM32F10x_XL devices feature up to 1 Mbyte with dual bank architecture for read-while-write (RWW) capability:
- bank1: fixed size of 512 Kbytes (256 pages of 2Kbytes each)
- bank2: up to 512 Kbytes (up to 256 pages of 2Kbytes each) 对于STM32F1系列的1MB flash芯片，是分两个bank的。每个BANK最大512KB.
你确认下你的代码，估计你给的是BANK2的地址，操作的却是BANK1的 FLASH寄存器，二者是
不一样的。
标准库函数里用到一个宏STM32F10X_XL来区分不同的函数实现。 谢谢楼上两位，一语点破，确实我的固件库太老了
问题已经解决，如上面两位版主说的，我在官网下载最新的Library就可以了。
但是在调试时发现一个奇怪的问题，每次第一次进入擦除指令时，总是不能准确的擦除第一页，直到第二次进入才能擦除。
比如擦除的 起始页地址是0x8005000,但是8005000这页是不能擦除的，后面的页都可以一次擦除。
虽然可以有其他方法避免，但是觉得不应该出现这种现象。很奇怪，怎么会出现这种情况，引用不带XL的
就没有问题。
验证代码：
void ErasePageApp(void)
{
FLASH_Unlock();
u32PageAddree = 0x8005000+ulPa;
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASH_ErasePage(u32PageAddree);
ulPa +=(u32)(2*1024);
FLASH_Lock();
}
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