STM32F401 flash写入时PSIZE的选择
背景：向stm32f401re内部flash中的sector4~7中写入数据。根据RM0368中的说明，我的电压是3.3V，而且没有外接Vpp，那么就只能设置PSIZE为0b10，对应一次写入32bit数。按照它的note，如果不这么做，即便当时写入正确，并且读取也正确，也不能保证数据的稳定性。
那这我就蛋疼了，因为我需要按字节写入数据。如果只能按32bit写入的话，**作和读取时就会麻烦一些。
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然后我有看了cubemx中生成的代码的注释，byte写入的电压要求是1.8V to 3.6V，跟RM中的说法有出入。如果按照代码注释的要求，我3.3V按byte写入也不会有问题。
我现在就纠结了，到底3.3V按byte写入会不会出问题，稳定性如何？哪位大神做过相关方面的内容，麻烦告知一下。
Parallelism is the maximum number of bits that may be programmed to 0 in one step during a program or erase operation.
手册给出的是最大可操作的位数，3.3V可以是32位、16位、8位写入。
参考
PM0081
Programming manual
STM32F40xxx and STM32F41xxx
Flash programming manual
zoomdy 发表于 2017-3-17 20:21
手册给出的是最大可操作的位数，3.3V可以是32位、16位、8位写入。
参考
PM0081
多谢！
好神奇，在st官网居然搜不到pm0081，在论坛反而能搜得到 坑爹啊，PM0081中就明确说是：The maximum program/erase parallelism is limited……
强调是max，到RM0368中把max去掉了，好大的歧义啊
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