nand flash 8bit 改成 16bit 读写出错 ？？
目前貌似改乱了啊，不改之前，还可以显示出好坏块，改成16位后，识别的都是错误的坏块了，u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead)
{
u16 i=0;
u8 res=0;
u8 eccnum=0; //需要计算的ECC个数，每NAND_ECC_SECTOR_SIZE字节计算一个ecc
u8 eccstart=0; //第一个ECC值所属的地址范围
u8 errsta=0;
u8 *p;
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD) = NAND_AREA_A;
//发送地址
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)ColNum;
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(ColNum>>8);
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)PageNum;
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>8);
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(PageNum>>16);
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)= NAND_AREA_TRUE1;
//下面两行代码是等待R/B引脚变为低电平，其实主要起延时作用的，等待NAND操作R/B引脚。因为我们是通过
//将STM32的NWAIT引脚(NAND的R/B引脚)配置为普通IO，代码中通过读取NWAIT引脚的电平来判断NAND是否准备
//就绪的。这个也就是模拟的方法，所以在速度很快的时候有可能NAND还没来得及操作R/B引脚来表示NAND的忙
//闲状态，结果我们就读取了R/B引脚,这个时候肯定会出错的，事实上确实是会出错!大家也可以将下面两行
//代码换成延时函数,只不过这里我们为了效率所以没有用延时函数。
res = NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
if(res)
{
#ifNAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U
printf("NAND Wait 0 Error ?? \r\n");
#endif
return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
}
//下面2行代码是真正判断NAND是否准备好的
res = NAND_WaitRB(1); //等待RB=1
if(res)
{
#ifNAND_FLASH_DEBUG_SWITCH > 0U
printf("NAND Wait 1 Error ?? \r\n");
#endif
return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
}
if(NumByteToRead % NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整数倍，不进行ECC校验
{
//读取NAND FLASH中的值
for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
{
*(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; //我吧这个 vu8 改成 vu16, u8 *pBuffer 这个定义的也改成了u16类型，其他没有改动，另外就是我需要读取的数据量 / 2 ，
// 结果就不对了，也不知道是不是我的硬件
// 上有两个 引脚没有接电源，根据资料要求，16位的39脚接 vcc，48脚接gnd，搞硬件时忘记了接，芯片型号
// MT29F4G16ABAEAWP TSOP48 封装的
}
}
else
{
eccnum = NumByteToRead / NAND_ECC_SECTOR_SIZE; //得到ecc计算次数
eccstart= ColNum/NAND_ECC_SECTOR_SIZE;
p = pBuffer;
for(res=0;res<eccnum;res++)
{
FMC_Bank3->PCR |= 1<<6; //使能ECC校验
for(i=0;i<NAND_ECC_SECTOR_SIZE;i++) //读取NAND_ECC_SECTOR_SIZE个数据
{
*(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
}
while(!(FMC_Bank3->SR&(1<<6))); //等待FIFO空
nand_dev.ecc_hdbuf = FMC_Bank3->ECCR;//读取硬件计算后的ECC值
FMC_Bank3->PCR &= ~(1<<6); //禁止ECC校验
}
i = nand_dev.page_mainsize+0X10+eccstart*4; //从spare区的0X10位置开始读取之前存储的ecc值
NAND_Delay(30);//等待tADL
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)= 0X05; //随机读指令
//发送地址
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)i;
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR) = (u8)(i>>8);
*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)= 0XE0; //开始读数据
NAND_Delay(30);//等待tADL
pBuffer= (u8*)&nand_dev.ecc_rdbuf;
for(i=0; i < (4 * eccnum); i++) //读取保存的ECC值
{
*(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS;
}
for(i=0;i<eccnum;i++) //检验ECC
{
if(nand_dev.ecc_rdbuf != nand_dev.ecc_hdbuf )//不相等,需要校正
{
printf("err hd,rd:0x%x,0x%x\r\n",nand_dev.ecc_hdbuf,nand_dev.ecc_rdbuf);
printf("eccnum,eccstart:%d,%d\r\n",eccnum,eccstart);
printf("PageNum,ColNum:%d,%d\r\n",PageNum,ColNum);
res = NAND_ECC_Correction(p+NAND_ECC_SECTOR_SIZE*i,nand_dev.ecc_rdbuf,nand_dev.ecc_hdbuf);//ECC校验
if(res)
errsta = NSTA_ECC2BITERR; //标记2BIT及以上ECC错误
else
errsta =NSTA_ECC1BITERR; //标记1BIT ECC错误
}
}
}
if(NAND_WaitForReady(0x2FFFFFF) != NSTA_READY)
errsta = NSTA_ERROR; //失败
return errsta; //成功
}
参数定义均修改为u16进行定义吧； 本帖最后由 hpdell 于 2016-11-16 17:18 编辑
xhzheng 发表于 2016-11-16 17:08
参数定义均修改为u16进行定义吧；
u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead) // 这个上面的 u8 *pBuffer 也改成了16
//读取NAND FLASH中的值
for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
{
*(vu8*)pBuffer++ = *(vu8*)NAND_ADDRESS; //我吧这个 vu8 改成 vu16, u8 *pBuffer 这个定义的也改成了u16类型，其他没有改动，另外就是我需要读取的数据量 / 2 ，
// 结果就不对了，也不知道是不是我的硬件
// 上有两个 引脚没有接电源，根据资料要求，16位的39脚接 vcc，48脚接gnd，搞硬件时忘记了接，芯片型号
// MT29F4G16ABAEAWP TSOP48 封装的
}
hpdell 发表于 2016-11-16 17:17
u8 NAND_ReadPage(u32 PageNum,u16 ColNum,u8 *pBuffer,u16 NumByteToRead) // 这个上面的 u8 *pBuffer...
确保读取RFID正确后，在进行其他功能开发； xhzheng 发表于 2016-11-17 08:12
确保读取RFID正确后，在进行其他功能开发；
我现在是当成8位来使用的，没有使用16bit，而且我的nand flash配置 也是8bit的，我在资料里面没有找到16bit读写的指令，也没有看到关于16bit的一些操作说明，目前使用 8bit 操作效果杠杠的， hpdell 发表于 2016-11-17 10:27
我现在是当成8位来使用的，没有使用16bit，而且我的nand flash配置 也是8bit的，我在资料里面没有找到16b ...
厉害厉害； xhzheng 发表于 2016-11-17 10:32
厉害厉害；
惭愧惭愧呀，目前貌似读写块不能够超过512，不知道是怎么个情况 ？？
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