seawwh 发表于 2016-4-16 10:59:43

STM32L073 的Flash Half-Page 编程


求助： STM32L073 的Flash Half-Page 编程

最近使用NUCLEO-L073RZ 开发板试验一下Flash的烧写，Copy Flash区域的数据到另一个Flash区域。按Word烧写没有问题，但是按Half-Page烧写总是不成功。按Word烧写的效率太低。在L0的库函数中未见Half-Page的例子，

试验代码在RAM中运行，关闭了Flash 预取；仍然不成功。
试验中发现：
    如果 pBu 指向RAM空间则可以写成功，指向Flash 则不会成功。

代码如下：

u32 xBu={0x11111111,0x22222222,0x33333333,0x44444444};

__ramfuncvoidIAP_Flash_CopyPage(u32 DstAdr, u32 *pBu, s32 Count) {
u16 i,k;

if((FLASH->PECR & FLASH_PECR_PRGLOCK) != RESET){
    if((FLASH->PECR & FLASH_PECR_PELOCK) != RESET) {
      FLASH->PEKEYR = FLASH_PEKEY1;
      FLASH->PEKEYR = FLASH_PEKEY2;
    }
    FLASH->PRGKEYR = FLASH_PRGKEY1;
    FLASH->PRGKEYR = FLASH_PRGKEY2;
}
while (Count>0) {
    // Erase One Page;
    while (FLASH->SR & FLASH_FLAG_BSY);
    FLASH->PECR |=(FLASH_PECR_ERASE | FLASH_PECR_PROG);
    *(vu32 *)DstAdr = 0x00000000;
    while (FLASH->SR & FLASH_FLAG_BSY);
    FLASH->PECR &= ~(FLASH_PECR_ERASE | FLASH_PECR_PROG);
    FLASH->SR   |= FLASH_SR_EOP;
   
    // Prog 2 Half Pages
    for (k=0; k<2; k++) {
      if (Count>0) {
      FLASH->PECR |=(FLASH_PECR_FPRG| FLASH_PECR_PROG);
      for (i=0; i<16; i++) {
          *(vu32 *)DstAdr =(u32)*pBu;
          DstAdr+=4; pBu++;
      }
      Count-=64;
      while (FLASH->SR & FLASH_FLAG_BSY);
      FLASH->SR   |= FLASH_SR_EOP;
      FLASH->PECR &= ~(FLASH_PECR_FPRG| FLASH_PECR_PROG);
      }
    }
}
FLASH->SR   |= FLASH_SR_EOP;
FLASH->PECR &=~ (FLASH_PECR_FPRG| FLASH_PECR_PROG);
FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PELOCK;
}

xmshao 发表于 2016-4-18 23:53:34

你确定支持HALF PAGE??
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