对stm32芯片的flash模拟eeprom例程一点疑惑
最近在看了stm32F0 芯片的flash模拟eeprom文档, 结合st公司的例程, 现在有一点十分困惑,1,
如上图, 这样每次开机都要对page0进行擦除操作, 擦除寿命为10000次, 每天开几次机, 这块flash模拟的eeprom不是很快就报废了吗?
2,例程上:
static uint16_t EE_PageTransfer(uint16_t VirtAddress, uint16_t Data)
{
FLASH_Status FlashStatus = FLASH_COMPLETE;
uint32_t NewPageAddress = 0x080103FF, OldPageAddress = 0x08010000;
stm32F0 芯片是64kflash, 这个模拟eeprom的页地址是定位在64k后面的1k, 这样定位在有效flash外面, 行吗?
很困惑很困惑,
还望能得到大家的指点迷津, 谢谢!
有用过的朋友吗? 盼能点拨, 谢谢! 有那种这次写这片区域下次写那片区域的方法。 可以留出几页区域，加入校验，发现页面坏掉就换位置 谁说每次要对page0进行擦出操作。那是在page0需要擦出的时候才擦出的。每个page不是给了你三种状态吗？你先看懂图。
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