stm32用flash模拟EEPROM的问题
最近想用flash模拟EEPROM，已节省5毛钱的外部EEPROM费用。找到了这两篇很好的文章.http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_30/ourdev_563416CSTFA5.pdf(原文件名:STM32FLASH模拟EEPROM使用和优化.pdf)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_30/ourdev_563417LYJ0YO.rar
(原文件名:FW_V3.1.0优化(FLASH模拟EEPROM).rar)
非常感谢原文的作者。
现有2个问题:
1，stm32F030C8芯片能采用上述方法用flash模拟EEPROM吗？
2，上述方法据说还有如下问题：
使用本例程要注意了，在页切换的时候要做修改，不然页传输的时候会出错，
就是在做页传输的时候，读数据时采用原来的方法找读地址。
使用这个程序的时候还是得修改的！不然换页时读取不到旧页的数据！
有用过的朋友吗，
盼能得到各位的指点， 谢谢了！
ST官网有emulation的文件，也有例子。但是不知道能不能被F030使用。基本的原理就是找一片空闲区域。比如某两个相邻的页面。保护这篇区域不被使用。当需要存储少量信息的时候。就给变量一个地址，然后将地址和数据按照半字的长度存储。这样当需要查询保存的信息的时候就查找最近的地址（从当前地址往回找或者最初是倒序存储的）。需要两个页面的原因是用一个页面当作俩一个的备份。如果需要数据的安全性，建议尽量不要对单个变量多次读写，这样就会冲掉不常用数据。这时候你就最好开辟新的存储区域，专门存储这类长变的数据。 可以模拟，，和m3核的几乎一样，可以找
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