STM32F101CB stop模式低功耗问题
现在调试STM32 stop模式低功耗 ,逻辑是:当外界电源掉电后电池供电,然后进入低功耗 ,当外界电源供电时 ,唤醒。附件见原理图。说明:电池是3V纽扣电池,外界电源经过二极管后的电压(3.2V左右)会高于电池经过二极管后的电压。
现在有个问题,外界电源掉电后,stm32 RAM里面保存的内容丢失了,保存的数值放在一个数组里了,掉电后在进入stop模式前我查看数组都变成0了,但是如果在掉电后进入stop模式前这段时间里给变量赋值,上电唤醒后变量值就没发生变化。
所以我想问:电压跳变会影响到stm32的RAM值吗?还是说下电瞬间 电压波动(0.2V左右)、电流不足 这两种哪种会影响stm32的RAM?
另外我还有个其他疑问,如果用备份寄存器存储数据,并开启外界侵入检测功能。在只有Vbat供电的情况下,侵入检测还能发挥作用吗?如果Vdd存在的情况下,断开Vbat供电,备份区的数据会发生变化吗?
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额字体这么小RE:STM32F101CB stop模式低功耗问题
数组是全局变量还是局部变量RE:STM32F101CB stop模式低功耗问题
如果BAT有点的话,不会影响备份寄存器。这个可以参考RTC的原理,如果来回切换,会对该值有影响。对于RAM的值,只有复位的时候会变化,这就要看供电是否会导致复位,如果电源跳变,建议用一个LDO芯片给系统转换电源。RE:STM32F101CB stop模式低功耗问题
楼上说的已经很详细了,如果电源跳变,建议用一个LDO芯片给系统转换电源。 学习低功耗,即将用到自己 的F407上。多谢分享。 帮忙顶一下....... 你好,你做低功耗电流多少?
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