STM32在IAR环境下怎样实现RAM里调试程序?
各位高手,本人正在学习STM32,注意到此芯片的寿命为1000个循环,因此想用RAM调诗程序,我注意到在MDK里可以实现这个功能,但是怎要在IAR环境做到这一点呢?因为我个人对IAR熟悉一点。RE:STM32在IAR环境下怎样实现RAM里调试程序?
1000个循环?什么意思?FLASH的次数最少也在10W,你是不是看错了。他是指你擦写的次数,程序使用的次数。RE:STM32在IAR环境下怎样实现RAM里调试程序?
当然指的就是擦写次数,不过这不重要,重要是怎样实现在RAM里调试。RE:STM32在IAR环境下怎样实现RAM里调试程序?
RAM里面运行,断电以后,程序就没有了。RE:STM32在IAR环境下怎样实现RAM里调试程序?
终于找到问题了,ST公司的库害你没商量。在Link-->Config配置好stm32f10x_ram.icf,却没想到这个从ST标准库COPY出来的文件有问题,其中:
define symbol __ICFEDIT_region_RAM_start__ = 0x20010000;
这样用户的RAM起始地址被设在64K以上,而我用的芯片是STM32F103C8,总共才20K RAM空音,难怪无法运行。由于我目前的测试程序很小,所以将其修改为0x20000200,一切OK。
我看到即使是High-Density Performance Line,其RAM也大都是在64K,因此ST库的此文件大有问题。或许是ST故意这样做的,让你知道必需小心使用RAM调试。 :o:o:o:o:o:o:o:o
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